N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化.pdfVIP

浙 江 大 学 学 报 (工学版) 第 45卷第 6期 JournalofZhejiangUniversity (EngineeringScience) Vo1．45NO．6 2011年 6月 Jun．20ll DOI：10．3785／j．issn．1008—973X．20l1．06．012 N型 LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化 郭 维，丁扣宝，韩成功，朱大中，韩 雁 (浙江大学 信息与电子工程学系 ，浙江 杭州 310027) 摘 要 ：针对功率开关管在未箝位 电感性开关转换 时会反复发生雪崩击 穿，引起器件参数退化 的问题 ，对一种 2O vN型横向双扩散 MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究．通过恒定 电流脉冲应 力测试、TCAD(technologycomputeraideddesign)仿真和电荷泵测试 ，分析研究导通 电阻退化发生 的区域及退化 的 微观机理 ，并针对实验结果提 出 2种退化机制