利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层.pdfVIP

第 32卷 第 6期 发 光 学 报 Vo1．32 No．6 2011年6月 CHINESE J0URNAL 0F LUMINESCENCE Jun．， 2011 文章编号：1000—7032(2011)06-0612-05 利用 Ino．82Ga0．18As与 InP衬底之问的 应力制作结构材料的缓冲层 张铁民 ，缪国庆 ，傅 军 ，符运 良 ，林 红 (1．海南师范大学 物理与 电子工程学院，海南 海 口 571158； 2．中国科学院 激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所 ，吉林 长春 130033) 摘要 ：采用低压金属有机化学气相淀积(LP，MOCVD)技术，在InP(100)衬底上生长In。Ga。。As，研究生长 温度对 In 。Ga As材料表面形貌、结晶质量和 电学性能的影响。利用 InP(100)衬底与 In ：Ga。．．As材料 晶格失配所产生的应变，在不同的生长温度下应变释放程度不同，进而在