局部双轴应变SiGe材料的生长与表征.pdfVIP

第 45卷第 6期 浙 江 大 学 学 报 (工学版) JournalofZhejiangUniversity(EngineeringScience) V0l_45NO．6 2011年 6月 Jun．2011 DOI：10．3785／j．issn．1008—973X．2011．06．014 局部双轴应变 SiGe材料的生长与表征 李竞春 ，杨洪东，杨 阳，全冯溪 (电子科技大学 微电子与固体 电子学院，四川 成都 610054) 摘 要 ：．利用分子束外延(MBE)对双轴应变 SiGe局部区域外延生长和表征进行 了研究．图形窗 口边 采用多晶 si侧墙 ，多层 SiGe薄膜分段温度生长．采用扫描 电子显微镜 (SEM)、原子力显微镜 (AFM)、X射线双 晶衍射