Ba2MgGe2O7Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究.pdf

v01．2 第27卷，第1期 光谱学与光谱分析 7，No．1，pp8—11 2oo and 7年1月 SpectroscopySpectral』halysis January，2007 吴晓轩1’2’3，郑文琛2’3 1．中国民航飞行学院物理教研室，四川广汉 618307 2．四川大学材料科学系，四川成都610064 3．中国科学院国际材料物理中心，辽宁沈阳110016 摘要文章建立了立方四面体3俨络合物g因子的完全高阶微扰公式。在这个公式中，除了与扣d跃迁 光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋一轨耦合参量模型)外，与电荷转移光谱 子的计算，发现理论计算值与实验值很好的一致，同时，荷移机制对g移动△g(=g一2．0023)的贡献△g℃T 在符号上与晶场机制的贡献△g℃F相反，而在大小上约为晶场机制贡献的38％。因此，在对高价态过渡金属 离子络合物的g因子计算时应考虑cF机制和cT机制的贡献。 07晶体 关键词 电子顺磁共振；g因子；荷移机制；晶体场和配位场理论；Ba2MgGe2 中图分类号：0482．5文献标识码：A 文章编号：1000—0593(2007)01一o008一04 制)却没有考虑。荷移机制在以前的研究中常被忽略的原因 引 言 是，荷移激发态与基态相距较远(荷移激发谱一般出现在紫 外区)[12]，它与基态的混合很小。但对于等电子的3矿离子 当过渡金属离子进入晶体时其基态g因子会偏离3扩离 子自由状态值廓(≈2．0023)。这个g移动△g(一g一函)是 态的能级是随3矿离子价态的增加而降低的[12|。这样，对高 由于激发态通过旋一轨耦合与基态混合(或相互作用)引起 价态3矿离子晶体，荷移激发态与基态相互作用(即荷移机 的[1{]。在传统的晶体场理论中，无论是采用微扰方法还是 07：Cr4+ 制)对△g的贡献就不应忽略。本文拟以Ba2MgGe2 完全对角化能量矩阵[1。5]，一般只考虑了与扣d跃迁光谱有晶体的因子为例来研究此问题。 关的晶场激发态通过3矿离子旋一轨耦合参量与基态的相互 Cr4+离子进入BazMgGe207晶体替代Ge4+离子而形成 作用，这种简单的模型也因此被称为单旋一轨耦合参量模型。 (C她)4一基团。由于包含有(C蛾)4一基团的可调激光晶体 它只适用于配体为F，02，等离子性配体的情况。后来注 意到睁11]，随着配体原子量x的增加(如对卤素配体，X由 F一一Cl—Br—I一)，不仅金属一配体基团Mx共价性增 的晶体的研究一直很受重视[16‘181。Ba2MgGe207：Cr4+晶体 强，配体电子和过渡金属离子d电子的混合加大，且配体户 的g因子已由电子顺磁共振(EPR)谱测量[1“，但一直没有 电子的旋一轨耦合参数也急剧变大，此时晶场激发态与基态 通过配体的旋一轨耦合参量的相互作用对△g的贡献就必须 考虑，于是就发展了更为有效的双旋一轨耦合参量模型[7。11|。 在这个模型中，过渡金属离子及配体的旋一轨耦合参量对△g