Ge纳米点Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析.pdfVIP

勤 能 材 料 Ge纳米点／si纳米线复合结构制备及微结构特征分析。 叶敏华，王丁迪，徐子敬，濮 林，施 毅，韩 民，张 荣，郑有焊 (南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，江苏南京210093) 摘要： 结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备si 调节生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。 纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制 在目前的结构中，Si和Ge的拉曼散射特征峰的较大 备了Ge纳米点／si纳米线复合结构，采用电子显微红移主要归因于应力和热效应作用。这种复合异质结 镜、微区原子力／拉曼联合测试系统进行了微结构表 构有望在太阳电池和锂离子电池上获得应用。 征。Ge纳米点基本均匀地分布于si纳米线上，通过 2纳米线制备和表征实验 改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。 在非常扁薄的无支撑的纳米点／线复合结构中，由于应 2．1 Ge纳米点／Si纳米线制备 力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生 本实验中，Ge纳米点／S