双极型晶体管的直流(白底).pptVIP

双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度应远小于少子扩散长度。 集成电路的计算机辅助设计需要简单而精确的器件模型 E-M 方程的建立，是为了用计算机来模拟BJT 的特性。目前BJT 的模型有两种： E-M 模型和G-P 模型。 E-M模型是最早的将器件物理参数与终端特性相联系的数学模型 模型越精确，建模就越复杂，因而要折中考虑 E-M模型简单而实用，是计算机模拟的基本模型 其简单形式只需3个独立参数 计入串联电阻、势垒电容及厄尔利效应，参数增至9个 进一步发展的G-P（Gummel-Poon）模型，也称积分电荷控制模型，更为精确，但参数达25个，简化后回到E-M模型 E-M模型是一种非线性直流模型，未考虑器件中的电荷存储效应，为与后来的改进模型相区别，记作E-M1 计及非线性电荷存储效应及欧姆电阻等，构成二级复杂程度的E-M2 包括基区宽度调制、大电流下?及正向渡越时间?的变化、集电结电容的分布性及器件参数随温度的变化等二阶效应，构成E-M3（与G-P模型等价） E-M1基于电流-电压方程： I-V方程侧重描述结构参数与I-V关系 E-M模型侧重器件终端特性，适于电路模拟，而将器