基于DPVBi发光的新结构有机白光器件.pdfVIP

光电字·瞰光 第18卷第8期2007年8月 Journal V01．18No．8 ofOrItoelectronics·Laser Aug．2007 基于DPVBi发光的新结构有机自光器件” 姜文龙一，王静，丁桂英，汪津，王洪梅 (吉林师范大学信息技术学院电子信息和工程系，吉林四平136000) 摘要：介绍了结构为ITO／4．∥．4“一rrls{N，一03一methylphenyD nm)／4，41 vi bis(Z，2’dlph∞yl nm)／DPVBi(20 nyI)一l，1-biphenyl(DPVBi．znm)／5，6，11，12，一tetraphenylnaphthacene(Rubrene．0．5nm)／tfis(8 hydroxyquinoline)alunfinuml：Alq，45---nm)／LiF(0．5rma)／Al的白光器件。采用了2个DPVBi层中间夹1个 Rubrene的薄层，这种结构充分利用了DPVBi的空穴阻挡特性和发光特性，有力地平衡了来自于DPVBi的蓝光 和Rubrene的黄光，从而使器件发出性能较好的白光。器件保持第2层DPVBi的厚度为20nm，第1层的 不变。当第1层DPVN的厚度是8nnl、Alq的厚度是37nm和其它层的厚度保持不变时，在13v的电压下，器 710 件的最大亮度为18 cd／群，对应的效率为2．06cd／A，色坐标为(o．29，0．30)，属于白光发射。 关键词：有机白光器件；DPVBi；亮度 中图分类号：TN383文献标识码：A 文章编号2007)08-0935—03 ANovelStructure Device、vitlIDPVBias OPgallicWhite-light EmittingLayers JIANG mei Wen-long一，WANGJing，DINGGui—ying，WANGJin，WANGHong Informationand ofInformation (Fnectronic Normal EngineeringDepartment，CollegeTechnology，JilinUniversity 136000，China) Siping Abstract：Theartideintroducedthedeviceswhose emittingwNtel嘧ht Ⅳph·mylamino)tripheny-／amineOrrMTDATA，40 ine(NPB，5 nm)／4，41his(2，27diphenmvinyl)1，1-biphenyl(DPVBi，z 0 5 1 USeStwo r