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2015-09-05 发布于重庆
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IGBT短路保护的控制策略分析.pdf

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ELECTRIC2010 电气传动 2010年第40卷第8期 DRTVE V01．40No．8 IGBT短路保护的控制策略分析陈永真 (辽宁工业大学电子与信息工程学院，辽宁锦州121001) 摘要：简述了硅整流器和晶闸管的短路保护的基本方法，即利用交流电网侧加适度的电抗器、器件串联快速熔断器。但是这种方法仅适用于电流过零关断的工作条件，对于工作在硬开关条件下的IGBT不适用；分析了IGBT在短路模式下的工作状态、短路保护需要的时限以及其他相关元件对IGBT短路状态的承受能力；指出在短路保护过程中降低栅极电压减缓关断速度是IGBT短路保护的有效手段。关键词：短路特性；降低栅极电压驱动；短路保护中圈分类号：TM92l 文献标识码：A Control ofIGBTShort—circuitProtection StrategyAnalysis CHEN Yong—zhen (School ofElectronicsInformation。LiaoningUniversityTechnology． of Jinzhou 121001，Liaoning。C^ins) Abstract；Thebasicmethodofshort—circuit aboutsiliconrectifierand wasstated，that protection thyristor is moderatereactoratthesideofACnetworkand devicesfuseinseries．Butthismethod adding making quick is tothe conditionofcurrent turn-off，andwhenthe conditionis onlyapplicableworking zero—crossing working hard itcan’twork．The conditionofshortcircuitmodel，timelimitofshort—circuit switching working protec· tionandtheenduranceofotherassociative aboutIGBTshort—circuit were components protectionanalyzed．The effectiveofIGBTshort--circuitis turn··off of inthecourseofshort·· way protectionslowing speedgatevoltage circuit protection． words：shortcircuit driveshortcircuit Key characteristics；reducegatevoltagei protection 路提供足够的时间。