RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZNO薄膜.pdfVIP

维普资讯 SEM IC0NDUCT0R 0PT0ELECTR0NICS VoJ．28No．1 Feb．2007 RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZnO薄膜 程松华，曾祥斌 (华 中科技大学 电子科学与技术系。湖北 武汉 430074) 摘 要： 采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长 ZnO薄膜。生长出的薄膜对可见 光具有高于90 的透射率，该薄膜具有 良好的C轴取向。利用 X射线衍射(XRD)的测试结果，分 析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响，得到最佳的生长工艺条件 为：衬底温度 300。C，溅射气压 1Pa，氩氧比为25sccm ：15sccm。在此条件下生长的ZnO薄膜具 有良好的C轴择优取向，并且薄膜的结晶性能良好。采用这种方法制备的Zn0薄膜适合用于制备 平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极。 关键词 ： RF磁控溅射 ；ZnO薄膜 ；透明薄膜晶体管 ；有源矩阵液晶显示器 中图分类号：TN304．055 文献标识码：A 文章编号：1001—5868(2007)01—0060—04 InSituDepositionofC-axisOrientedZnO ThinFilmsbyRFM agnetronSputtering CHENG Song—hua，ZENG Xiang-bin (Dept．ofElectronicScienceandTechnology，HuazhongUniversityofScienceandTechnology，Wuhan430074，CHN) Abstract： ZnO thinfilmsweredepositedinsituonglasssubstratesatalow temperatureby radiofrequency (RF)magnetron sputteringtechnique．Thegrownfilmsarehighlytransparent andhighly C-axisoriented．The opticaltransmission ofthe films in the visiblepartof the spectrum ismorethan90 ．Theinfluenceofsputteringprocessparameters，suchassubstrate temperature，Ar／O2ratioandsputteringpressureonthefilmcharacteristicswasinvestigatedbyX raydiffraction (XRD)．Theresultsshow thatwhen thesubstratetemperature iS300 ℃ 。the sputteringpressureis1Pa，theAr：O2ratiois25sccm ：15sccm，thefilm grownishighlyC-axis oriented，andthefilm hasagoodcrystallinity．TheZnO thinfilmscanbeusedasactivelayersin transparentthinfilm transistorsofflatpaneldisplays，andtransparentelectrodesinsolarcells． Keywords： RF magnetron sputtering；ZnO thin film；transparentthin film transistor； active—matrixliquidcrystaldisplay l 引言 方法都可以用来制备 ZnO薄膜 。像磁控溅射法__2]、 离子体分子束外延 (MBE)法 、sol—