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2015-09-05 发布于重庆
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SEPIC主要参数设计软件

Sheet3 MOSFET型号表 Sheet1 输入最小电压(VDC)Vin(min) 额定输入电压(VDC)Vin 输入最大电压(VDC)Vin(max) 输入电流（A)Iin 输出电压(VDC)Vout 输出电流(A)Iout 输出整流二极管正向压降(VDC)VD L2电感峰值电流IL2(PEAK) 开关频率（KHz）Fsw 二极管最小反向峰值电压VRD MOSFET IDS(PEAK)(A) L1电感峰值电流IL1(PEAK) MOSFET GD充电QGD MOSFET型号 1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 11N60 12N60 13N60 20N60 MOSFET开通内阻RDS(ON)（Ω） MOSFET驱动电流IGATE(A) 低压占空比Dmax 高压占空比Dmax L1=L2感量（uH）L（独立磁芯） L1=L2感量（uH）L（公用磁芯）耦合电容的纹波电压△VCS(A) 耦合电容Cs容量(uF) 输出电容的平均电流ICS(A) 耦合电容的平均电流ICS(A) 输出电容的纹波电压Vripple（Vp-p）输出电容ESR （Ω） ≤ 输出电容容量Cout(uF) ≥ 输入电容的平均电流Icin(RMS)（A) 电感纹波电流（A）△IL MOSFET IDS（RMS）(A) MOSFET消耗功率PD(W) 备注：黄色背景部分为自动计算部分，请不要修改。作者：江彬职务:电源工程师 QQ：371644557 10.00 12.00 16.00 2.40 12.00 2.00 .85 .56 .45 .96 .40 100.00 58.58 1000.00 2.88 1.00 .40 2.00 2.40 1.00 .40 2.00 29.29 2.00 1000.00 4.27 3.20 7.48 28.00 1.20 1.20E-05 .20 2.19 1.13E-03 10.00 2.19 .06 5.68E-03 .50 374.91 .50 1000.00 .28 12.00