(GaN)n(AlN)n应变层超晶格的电子结构.pdfVIP

第26卷第10期 半导体学报 V01．26No．10 2005年10月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS oct．，2005 王新华1 王玲玲1 王怀玉2 邓辉球1 黄维清1 (1湖南大学应用物理系，长沙410082) (2清华大学物理系，北京100086) 带隙Eg随超晶格层数竹的变化趋势；当超晶格中存在空位时，带隙中将形成缺陷能级．最后分析了在超晶格中引 入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响． (GaN)。／(AlN)。；应变层超晶格；电子结构；缺陷能级 关键词：Recursion方法； PACC：7280E；7115T 中图分类号：0471-5文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)10一1934一05 sion的最近邻原子间轨道矩阵元的普适关系主要是 1 引言 系将带来一定误差．但同时紧束缚理论也具有原理 应变层超晶格(SLS)的优点是可通过控制薄膜简单、计算方便、不受晶格周期性限制等优点．Re— 的厚度及不同层之间通过产生应变消除晶格不匹配 带来的缺陷，因此这种超晶格材料受到人们广泛的 接得到态密度，在计算一些局域电子态如表面态、深 重视．Ⅲ一V族材料中，GaN和AlN具有禁带宽度杂质、缺陷电子态时比能带论的方法更为简单方便． 大、电子漂移速度高、击穿电场强、化学性质稳定等 优点，因而成为制作发光二极管、蓝紫光激光器等光 许多报道[7~9]． 电子器件的理想半导体材料[1]．GaN和AlN具有纤 锌矿和闪锌矿两种结构，以往对GaN，A1N及其超2模型与计算方法 晶格的研究主要集中在纤锌矿结构[2’3]．由于闪锌 矿结构的GaN和AlN具有很好的对称性，且易于 切断，解理时可以很好地提供直角平面，近年来人们 组{西。)进行正交变换，形成一新的基组{肛。)，在该基 也开始对其闪锌矿结构进行研究[4’5]． 组下，哈密顿矩阵化为一简单的三对角对称阵，从而 易于求得格林函数，进一步可得到态密度．从态密度 本文采用Recursion方法[61计算了GaN，AlN 可得到费米能E，、原子价等物理量． 体材料和(GaN)。／(AlN)。(001)超晶格的电子结 构，并分析了空位对其电子结构产生的影响．Recur— sion方法基于紧束缚理论，只考虑原子间最近邻的紧束缚哈密顿量只考虑最近邻格点的相互作用，跃 相互作用，而忽略次近邻相互作用．紧束缚理论的 迁矩阵元由Harrison公式[1叼给出： 矗2 一个主要缺点是不能求得与实验符合得很好的导带 7一s，p (1) Vll，。一功l，。去，l，1 结构，用紧束缚函数较难得到正确的导带态．紧束缚 矩阵元参数通常是由拟合能带经验确定的，Harri一 王新华男，硕士研究生，主要从事凝聚态物理研究． 王玲玲女，教授，博士生导师，长期从事凝聚态物理研究． 2004一06—23收到，2005一03—14定稿 @2005中国电子学会 万方数据 第lo期 王新华等： (GaN)。／(AlN)。应变层超晶格的电子结构 Z h2一i