(GaN)n(AlN)n应变层超晶格的电子结构.pdfVIP

第26卷第10期 半导体学报 V01．26No．10 2005年10月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS oct．，2005 王新华1 王玲玲1 王怀玉2 邓辉球1 黄维清1 (1湖南大学应用物理系，长沙410082) (2清华大学物理系，北京100086) 带隙Eg随超晶格层数竹的变化趋势；当超晶格中存在空位时，带隙中将形成缺陷能级．最后分析了在超晶格中引 入Mg掺杂后对超晶格电子结构的影响． (GaN)。／(AlN)。；应变层超晶格；电子结构；缺陷能级 关键词：Recursion方法； PACC：7280E；7115T 中图分类号：0471-5文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)10一1934一05 sion的最近邻原子间轨道矩阵元的