GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1f噪声特性的影响.pdf

VdL 第25卷第l期 红外与毫米波学报 25，No．1 2006年2月 Millim．Waves Febnl8Iy，2006 J．Infrared 文章编号：1001—9014(2006)01—0033—04 Q枷血红外发光二极管功率老化对其l／f噪声特性的影响 ，包军林，庄奕琪，杜磊，马仲发，李伟华，李聪 (西安电子科技大学徽电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安710071) 低频噪声的测量发现，1／f噪声幅值与偏置电流的7次方成正比(小电流区y=1，在大电流区丫≈2)，且老化后l“ 噪声幅值比老化前增大2个数量级．基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAsIRLED的1／f噪声 IR 模型，分析结果表明caAIAsLED的1／f噪声在小电流时反映体路阱特征，大电流时辰映激活区陆肼特征，I／f噪 声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱，l／f噪声可以用来检测GaAlAsIRLEos的潜在缺陷． 关键词：红外发光二板管；l／f噪声；功率老化；陷阱 中图分类号：TN386．1文献标识码：A EFFECTSoFPoWERAGD4GoN1／fNoISE IRLED CHARACTERIsTICSFORGaAlAs BA0 zHUANGDu MA L1 LI Jun·Lin， L崩， wei-Hua， Yi—Qi， zhoog—Fa， cong Lab0f 0fEduc“on Mat葫alsand (K6y Minis‘ry Semiconductor Device8， RⅡwI如B蚰d—Gap Mic啪1ec咖Ⅱics 111sblute，xidianuniverB畸，xi’an7l0071，china) the 1如nt ofdevices 8creen诗an 1／fnoiseln by Abstract：Detec6”gd啪age reliabih‘y ever鼎iti“gd血cul‘pmblem caAlAsi出撕d studjed0vernwide ofbiascu腓ntsnh rayLEDs(IRLEDs)was6xpedlllent甜】y ra“ge 8pec词emphasis oo th且tthe 0f T10ise1ncr朗ses2orderof demonstmte l／f Pdwera舀“g．Exp画Ⅱ地nIal北sults m89nitLlde magnitude血er89i“g anditi8