GaAsAlGaAs超晶格的光致发光.pdf

第36卷第2期 山东大学学报(自然科学版) 2001年6月 V01．36No．2 OFSHANl30NG JOURNAL UNIVERSITYJun．200l 文章编号：0559．7234(2001)02-0190-05 GaAs／AIGaAs超晶格的光致发光 程兴奎 周均铭黄绮 (山东大学光电材料与器件研究所，山东挤南250100)(中国科学院物理所，北京．100080) 摘要：在温度丁=77K，测量了GaAs／Alo．3Gao．7As超晶格的光致发光，发现在 156 波数i=13cm_1和i=12289cm_1处分别存在一个强发光峰和一个弱峰． 理论分析表明，强峰是量子阱中基态电子与重空穴复合发光；而弱峰与底层 GaAs重掺si有关．由强发光峰的半高宽可以确定量子阱中的掺杂浓度．理论计 算值与实验结果符合得很好． 关键词：GaAs／A1GaAs；超晶格；光致发光 中图分类号：TN304 文献标识码：A 光致发光谱是目前研究超晶格、量子阱导带与价带子带间跃迁及激子效应最常用的 方法．关于未掺杂及调制掺杂GaAs／A1GaAs量子阱的光致发光谱已有报导【1．2J，M．H． J．我们对MBE生 Zhang给出低温生长的掺杂GaAs／AIGaAs多量子阱的光致发光特性13 长的掺杂GaAs／AIGaAs超晶格进行了光致发光测量，观察到两个发光峰，根据对发光峰 位置的理论计算．认为强发光峰是导带量子阱基态电子与阶带量子阱基态重空穴复合发 光引起的．并指出由该峰的半高宽可以估算量子阱内的掺杂浓度，本文报导有关结果． 1样品制备与测量结果 浓度为1×10tscm～，层厚为1am；然后生长GaAs／AIo．3Gao．7As超晶格结构，GaAs阱层 厚5ilm，Si掺杂浓度l×1018cm～，AIo3Gao．7As势垒厚10llm，共50个周期；最后生长SI ttm． 掺杂的GaAs顶层，Sl掺杂浓度1×10”cln一，层厚0．5 将生成的材料解理成矩形，腐蚀掉GaAs顶层，然后对样品进行光致发光测量．在温 度丁=77K测量得到的光致发光谱如图l所示．可以看出，在波数面=13156cmo处存 收稿日期：20004)4．26 基金项目：国家自然科学基金和山东省自然科学J基金(Y98G11107)资助项目 作者简介：程兴奎(1943一)．男，教授，现从事超品格量子阱红外探测器的研究 万方数据 第2期 程兴奎等：GaAs／A1GaAs超晶格的光致发光 191 289 在一个强发光峰，其半高宽△o=145cm一1，在i=12cm一1附近存在一个弱峰，其半 高宽Ai=500cm-。． E习 110∞ 120∞ 13000 ●O∞ ISO∞ i，m。’ 图i对GahslAlo3‰小超晶格，在T=77K测t出的光致发光谱 Memured of Fig，1 photolmimo∞ceS”tItlltll