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大面积复杂掩模图形的快速光刻仿真研究.pdf
第31卷第3期 仪 器 仪 表 学 报 VoL31No．3
Chinese ofScientificInstrument
2010年3月 Journal
大面积复杂掩模图形的快速光刻仿真研究
李木军，沈连始，赵 玮，郑津津，周 杰
(中国科学技术大学精密机械与精密仪器系 合肥230026)
摘 要：大面积复杂掩模图形的光刻仿真，要同时满足高精度和高效率两个要求。为克服现有方法积分区域大，计算效率低等
问题，提出了一种基于最有效影响区域的简化计算方法。该方法首先利用波前分割的方法确定影响光刻胶目标场点光强的最
有效影响区域，以此局部区域替代原来的整体积分区域作光强的计算，将积分区域由整个掩模图形缩小为图形的一小部分。试
验结果表明，该算法与现有方法比较，精度上非常接近，但速度显著加快，且稳定可靠。该方法能够快速准确地对大面积复杂掩
模图形进行光刻仿真，具有重要的应用价值。
关键词：光刻仿真；复杂掩模图形；波前分割；计算效率
中图分类号：TN305．7文献标识码：A 国家标准学科分类代码：510．3050
Fast simulationmethodof mask with
lithography complexpattern
Li Jie
Mujun，ShenLianguan，ZhaoWei，ZhengJinjin，Zhou
Precision Scienceand
(Departmentof MachineryPrecisionInstrumentation，Universityof TechnologyQ厂China，Hefei
additionto isanother factorthatmustbetakeninto in
Abstract：In high—precision，high—efficiencyimportant
1‘ ‘ ‘ ^ ‘ ^ ‘ ^ ● ● ● ● ● ^
simulationot mask with domainot in methodsot-
lithography complexpatternlarge—area．torlarge integrationexisting
tenleadstolow overcomethis a methodis basedon
computationalefficiency．To shortagesimplified proposed
frontdivisiononthemask the theoretical wave—frontthathasthemost
plane．Inpresented model，thespecial region
onthefield isdetermined．Thislocal is
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