掺杂CVD金刚石薄膜的应力分析.pdfVIP

第56卷第6期2007年6月 物理学报 1000．．3290／2007／56(06)／3428-．07 AC’IAPHYSICASINICA ⑥2007 Chin．Phrs．Soe． 掺杂CVD金刚石薄膜的应力分析* 李荣斌 (上海电机学院材料成型系，上海200245) (2006年8月22日收到；2007年1月19日收到修改稿) 金刚石薄膜，利用x射线衍射仪和拉曼光谱仪研究掺杂对CVD金刚石薄膜的应力影响．研究结果发现，随着S掺杂 浓度的增加，薄膜中sp2杂化碳含量和缺陷增多，CVD金刚石薄膜压应力增加；小尺寸的B原子与大尺寸的S原子 共掺杂时，微量B的加入改变了CVD金刚石薄膜的应力状态，共掺杂形成B．s复合体进入金刚石晶体后降低金刚 石晶体的晶格畸变程度，减少s原子在晶界上偏聚数量和晶体中非金刚石结构相含量，降低由于杂质、缺陷及sp2 杂化碳含量产生的晶格畸变和薄膜压应力，提高晶格完整性． 关键词：金刚石薄膜，掺杂，应力 PACC：6855，6170T，0630M 杂质原子等因素对薄膜应力会产生重要影响b1．本 1．引 言 文根据拉曼光谱的信息并借助于x射线衍射等手 段分析不同掺杂条件下制备的s掺杂和B．S原子共 由于金刚石具有带隙宽、载流子迁移率高、击穿 掺杂CVD金刚石薄膜应力变化的特征，为进一步研 电压高和电子饱和速度高等特殊特征，从而使金刚 究n型金刚石掺杂工艺以及n型金刚石共掺杂机理 石薄膜，特别是它的半导体特性，成为材料科学研究 提供指导． 的热点问题之一．为了制备性能良好的金刚石P．n 结，目前人们已经成功制备出了P型B掺杂多晶金 2．实验方法 刚石薄膜，但n型金刚石薄膜的制备比较困难，因而 极大地限制了半导体金刚石在电子学领域的应用． 金刚石薄膜沉积是在自制的微波等离子体 当前主要有三个因素限制了制备高质量的n型掺杂 CVD系统上进行，系统中使用管状石英管作为反应 金刚石薄膜：一是施主杂质原子在金刚石晶体中的 腔，采用环状水冷装置．实验过程中以氢气为载体， 固溶度较低；二是深的施主杂质能级增加了杂质原 丙酮为生长金刚石的碳源，用二甲基二硫和三氧化 子电离活化量；三是掺杂金刚石晶体的缺陷所产生 二硼分别作为s的掺杂源和B的掺杂源，掺杂过程 的电荷补偿效应降低了晶体中的载流子浓度．研究 中将他们稀释于丙酮溶液中．在进行掺杂实验前，先 人员对n型金刚石掺杂作了很多研究，但始终未能 在si(100)衬底上沉积一层本征金刚石薄膜，为了提 达到制备器件的要求，因此，探讨制备具有高掺杂原 高金刚石薄膜的形核率，Si衬底在沉积前用0．5 btm 子浓度、浅施主杂质能级和低缺陷的高质量n型金 的金刚砂研磨15min，然后在丙酮溶液中超声清洗， 刚石薄膜是一项很有意义的工作． 吹于后放入反应室