用于低功耗微型磁通门的Co77Fe2.5Mn1.4Mo2.1Si13B4非晶薄膜研究.pdfVIP

: 郭 博 等 用于低功耗微型磁通门的 非晶薄膜研究 　 Co Fe Mn Mo Si B 77 2.5 1.4 2.1 13 4 2719 文章编号: ( ) 1001-9731 2013 18-2719-05 用于低功耗微型磁通门的Co Fe Mn Mo Si B 非晶薄膜研究∗ 77 2.5 1.4 2.1 13 4 , , , , 郭 博 刘诗斌 杨尚林 李菊萍 侯晓伟 　 ( , ) 西北工业大学 电子信息学院 陕西 西安 710129 : 。 摘 要 采用直流磁控溅射方法制备了一种适用于 与前述几种方法可以结合使用 磁通门对铁芯性能的 　 　 微型磁通门的 非晶软磁铁 , Co Fe Mn Mo Si B 要求与软磁材料在其它方面应用中有所不同 能在小 77 2.5 1.4 2.1 13 4 , 芯薄膜 并对薄膜进行了200℃外加面内横向磁场的 激励磁场下进入非线性区的铁芯薄膜材料有利于降低 [ ] 。 ( )、 12 。 真空退火 利用振动样品磁强计 VSM X 射线扫描 磁通门功耗 考虑到磁通门的灵敏度与铁芯磁导 仪( )以及扫描电子显微镜( )测试了薄膜的 , XRD SEM 率和铁芯截面积有关 在硅基底上淀积适合于磁通门 、 、 ; 、 磁滞回线 相组成 表面形貌并进行了成分分析 使用 器件的具有小磁场磁滞回线拐点 高磁导率并具有一 , 制备得到的薄膜作为双铁芯磁通门的铁芯 测试了磁 定厚度的铁芯薄膜材料成为设计制作硅微磁通门器件 、 。 , 。 , 。 通门的激励电流 灵敏度和线性范围 结果表明 制备 的关键 然而 这方面的研究鲜有报道 Kang 等通过 , 得到的薄膜主要呈非晶态 具有较大的相对磁导率并 优化电镀液配方制备出了一种适用于磁通门的 NiFe ; , , 且磁滞回线在小磁场下出现明显的拐点 用作磁通门 合金铁芯薄膜材料 从其给出的磁滞回线看 饱和磁场 [ ]