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第 11卷 第4期 重庆科技学院学报(自然科学版) 2009年 8月 Sb掺杂 ZnO纳米材料的研究进展 闰勇彦 马 勇 朱绍平 (重庆师范大学，重庆 400047) 摘 要 ：ZnO纳米材料是一种新型的直接带隙半导体材料 ，其禁带宽度为 3．37eV。Sb掺杂ZnO纳米材料在光 电、气 敏效应、P型导电等方面具有优 良的性质。介绍 Sb掺杂ZnO纳米材料在这几方面的最新研究进展。 关键词 ：ZnO薄膜 ；Sb掺杂 ；p型ZnO 中图分类号 ：TF123 文献标识码 ：A 文章编号 ：1673—1980(2009)04-0072—40 ZnO是一种新型的 Ⅱ～Ⅵ族宽禁带化合物半导 ZnO薄膜 的本征缺陷，如氧空位 (I，。和锌填隙Zn)。 体材料 ，与GaN具有相近的晶格常数和禁带宽度 。 而退火温度高于 400℃时．Sb掺杂 ZnO薄膜的电阻 原料易得且价廉 ，且相对于 GaN，ZnO具有更高的熔 率仍然在升高，Sb掺杂ZnO与未掺杂ZnO薄膜表现 点和激子束缚能。此外 ，ZnO膜的外延生长温度较 出不同的电学性质。图2是 Sb掺杂 ZnO薄膜和未掺 百。音一 sa凹 低 ，有利于降低设备成本 ，抑制 固相外扩散 ，提高薄 杂ZnO薄膜的载流子浓度和迁移率与退火温度的关 膜质量 ，也容易实施掺杂。它具有很好的光电、压电、 系曲线 ，在 4o0℃以下，两者的载流子浓度和迁移率 光敏、压敏特性 。ZnO晶体有 3种相结构 ，分别是纤 都在下降，而在 400~C以上时，纯 ZnO薄膜的迁移率 锌矿相 、闪锌矿相和岩盐相 (NaC1型结构)。纤锌矿 几乎保持不变 ，载流子浓度增大 ，所以电阻率下降。 相结构具有六方对称性 ，在常温下是稳定的。其晶格 常数大小为 ：a=0．325nm，c=O．521nm。 目前 国内外研 究最多的是掺杂ZnO，一般为贵金属 Pd、Pt、Ru等 掺杂。它们主要充当催化剂作用，主要是普通金属掺 杂，其次还有金属氧化物掺杂和稀土元素掺杂等 。 Sb掺杂 ZnO比未掺杂 ZnO表现出许多优越性质 ． 本文主要介绍Sb掺杂 ZnO在光 电、气敏 、P型导 电 性等方面的最新研究进展。 Annealingtemperature／~C 1 Sb掺杂ZnO纳米材料的电学性质 图 1 退火温度与电阻率的关系 一 般 Sb掺杂 的 ZnO膜 比纯 ZnO膜 的电阻要 高。纯 ZnO膜温阻曲线表现为电导峰，而 Sb掺杂 的 ZnO膜 电导峰消失。PengWang等人口用射频磁控溅 射的方法在 Si衬底上镀制 了Sb掺杂 ZnO薄膜 ，所 用靶材为高纯 Sb2o，和ZnO组成的合金靶 ，Sb0 的 原子含量为3％。图1为Sb掺杂ZnO薄膜和未掺杂 ZnO薄膜的电阻率与退火温度 的关系曲线。从图上 我们可 以看 出，当温度高于 400~C时，未掺杂 ZnO薄 Annealingtemperature／％ 膜的电阻率开始下降，说明温度高于 400~(2可以消除 图2 退火温度与载流子浓度和迁移率的关系 收稿 日期 ：2009—03—28 一 基金项 目：重庆市教委科技项 目( 070840) 作者简介：闫勇彦 (1973一)，男，山西五台人，重庆师范大学物理学与信息技术学院2006级研究生，研究方向为疑聚态理论。 · 72 · 闫勇彦 ，马勇，朱绍平：Sb掺杂ZnO纳米材料的研究进展 D．W．Zeng等人2[1用蒸