硅粉表面化学镀铜工艺研究.pdfVIP

· 14 · 材 料 开 发 与 应 用 2009年6月 文章编号：1003-1545(2009)03-0014-05 硅粉表面化学镀铜工艺研究 丁莉莉，刘英才，张玉明，胡校苹，刘志刚，荣鼎慧 (中国海洋大学材料科学与工程研究院，山东 青岛 266100) 摘 要 ：研究了化学镀法对硅粉进行化学镀铜过程，探讨了甲醛含量、pH值、温度对化学镀铜反应时间及复合 粉体颜色的影响和镀层的微观形貌及结构。结果表明：在镀液中，pH值增大、温度升高、甲醛含量增加，可以 缩短反应时间，提高镀速。得出最佳工艺条件：甲醛为60～72ml／L，pH值为 12～12．5，6o℃。所得复合粉体 镀覆均匀，晶形 良好，没有CuO的存在。 关键词：化学镀；硅．铜复合粉体；微观形貌 中图分类号：TQ153．14 文献标识码：A 电子封装材料主要作用是机械支持、密封保 和基体用一定的物理化学方法制备成金属．陶瓷 护、散失电子组件的热量等，随着航空、大规模集 复合粉体，可以有效的改善上述问题，为封装业 成电路、军事通讯等方面的不断发展，传统的电 的发展提供有效的材料支持 2【】。化学镀法就是 子封装材料已经满足不了这些领域的要求。而 制备包覆型的金属一陶瓷复合粉体的方法之一。 铜基复合材料在电子封装方面具有极大的优势， 化学镀铜是较成熟的表面处理方法，近年来 因为铜相较于铝具有更好的导热性能和热膨胀 被广泛用于粉体材料的表面改性 ]，这种方法 性能，同时还具有增强体颗粒热膨胀系数低、成 已经应用在 电子封装SiCp—Cu复合材料的制备 本低的优点，且可以通过合理选择增强体颗粒和 中 j。和机械棍合的方法相比，化学镀法具有均 合金等手段实现材料热物理性能的设计。同时 匀性好，结合力高，纯度高等优点，且易于控制金 由于硅具有低热膨胀系数、低导热性、低密度的 属相的含量，特别是低金属含量下更易制备均匀 性质，且硅是芯片材料之一。因此，选择硅作为 分布的复合粉体，并能以较大规模生产。 增强体的铜基复合材料在 电子封装应用方面会 本文研究了硅粉表面化学镀铜工艺，制备出了 有很大潜力。 硅一铜复合粉体，考察了pH、HCHO、温度的影响，并 电子封装金属基复合材料的常用的制备方 对化学镀铜的形貌和成分进行了简要分析。 法有粉末冶金法和铸造法 J。在各种制备方法 中，提高基体和增强相的均匀混合程度，降低界 1 试验 面残余应力，改善复合材料中异相的结合状态是 现今封装材料制备过程中急需解决的问题。近 1．1 粉体前处理 年来兴起的包覆型的金属一陶瓷复合粉体的研究 选用的硅粉由北京浩运工贸有限公司提供， 为这一问题的解决提供了新的思路。将增强相 纯度99％，粒度为300目，其微观形貌如图1。 收稿 日期：2009—01—15 作者简介：丁莉莉，1983年生，女，硕士研究生，主要从事化学镀法制备复合粉体的相关研究。 第24卷第3期 丁莉莉等：硅粉表面化学镀铜工艺研究 ·15 · 图 1 Si粉的微观形貌 首先将粉体在粗化液中超声振荡20min，粗 如下： 化液配方为：20ml／LHF(4O％)，2g／LNH4F，然 2HCHO+Cu“+4