电子迁移对钇稳定氧化锆电解质性能的影响.pdfVIP

2009年6月 材 料 开 发 与 应 用 ·23 · 文章编号：1003—1545(2009)03-0023-04 电子迁移对钇稳定氧化锆电解质性能的影响 鲁盛会 ，向蓝翔 ，周欣燕’，陈宗璋 ，李素芳 ，沙顺萍 (1．中国原子能科学研究院，北京 102413；2．湖南大学化学化q-学院，长沙 410082) 摘 要：本文讨论了在不同测氧分压、温度、相对密度及引入AIO，下，电子迁移对钇稳定氧化锆电解质性能 的影响。结果表明：氧化锆氧浓差电池测量的氧分压越低，电子迁移对池电势的影响越大；电池的工作温度越 低，电子迁移数越大，测量误差越大；烧结越致密的电解质其电子迁移数越小；适量的引入Al2O 可以降低电 子迁移数，提高测氧准确性。 关键词：氧化锆；电子迁移；氧传感器 中图分类号：TQ174 文献标识码：A 在高温下，钇稳定氧化锆 (YSZ)固体 电解质 是一类氧离子传导占绝对优势的离子导体，同时 1 YSZ敏感元件和实验装置的制备 存在着电子迁移，当电子迁移数较高时，将影响 YSZ电解质制备的氧传感器的测量准确性 。 1．1 YSZ敏感元件的制备 YSZ基浓差电池型氧传感器在工作时是利用能 采用化学共沉淀工艺制备8mo1％Y0 稳定 D p ZrO2(YSZ)粉料，用LDJ200／1000—300型冷等静 斯特方程：E=： ·In 1(E为电池产生的理论 ’ r ／-2 压机将粉料压制成型为 (bl6innl×2mm圆片状 电势，为气体常数，为电解质温度，F为法拉 氧化锆素坯，然后用SX2—16B型高温硅钼炉分 第常数，P，和P：分别为参比氧分压和测量氧分 别在 l30ooc、1370~C、1440℃、1510℃、1580oC下 压)来测量未知氧分压的。而该方程的成立条件 烧制成相对密度不同的氧化错敏感元件，用氯铂 之一是假定固体电解质中的氧离子迁移数t=1 酸法在元件的两圆面上涂制多孔铂作为正负电 (即电子迁移数t=0)，即在测量氧分压时，希望 极。仍采用化学共沉淀法制备含A10，的YSZ 氧离子是完全的载流子，自由电子和电子空穴可 固体电解质，同上，压制、烧结制备成敏感元件。 以忽略不计。但是，实际上固体电解质内电子迁 1．2 实验装置的设计 移的存在对池电势有着直接的影响，电子迁移数 将制备的敏感元件安放在 自制可调温的电 越大，YSZ氧传感器的测量误差亦越大。只有当 炉中，且氧化锆敏感元件两面间气密性 良好。如 电子迁移数很小时(如小于 1．O％时口)，测量氧 图l所示。 分压才趋近于实际氧分压。而在许多实际应用 中，它对测量结果的影响是不能忽略的。为了避 免和修正电子迁移对池电势的影响，必须了解电 P 一 子迁移在不同的工作环境下是如何影响池电势 的，以及电子迁移在实际应用条件变化时的规 律。本文通过改变浓差电池两边的烧结致密化 程度、氧分压、温度和原料的掺杂等来讨论电子 图1 电子迁移数测量装置示意图 迁移对YSZ电解质性能的具体影响。 1石英管；2YSZ固体电解质；3数控咖热炉；4热电偶 收稿 日期：2008—12—18 基金项 目：鲁盛会，1980年生，男，河南洛阳人。研究方向：材料电化学。 · 24 · 材 料 开 发 与 应 用 2009年6月 将不