第五章非平衡载流子_半导体物理.pdfVIP

第五章 非平衡载流子 1 在一个n 型锗样品中，过剩空穴浓度为1013 cm3 ，空穴的寿命为100us，计算 空穴的复合率。 p 1013 17 2 [解]：U 10 / cm s 6 t 100 10 p 4. 有一块半导体材料的寿命是t 10us ，光照在材料中会产生非平衡载流子，试 求光照突然停止20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ [解]：t 10us ，t=20us 20 n(20us) n(0)e 10 n(0) 13.5% 因此，将衰减到原来的13.5% 7. 掺施主浓度 15 3 ND 10 cm 的 n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子 n p 1014 cm3 。试计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级 做比较。