半导体物理与器件第7章到第13章名词解释.pdfVIP

1、Abrupt junction approximation （突变结近似） The assumption that there is an abrupt discontinuity in space charge density between the space charge region and neutral semiconductor region. 认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。 2、Depletion layer approximation （耗尽层近似） The number of carriers is almost zero due to the strong built -in electric field in the space charge region, that the charge in the space charge region is almost completely provided ionized impurity, this space charge region is called depletion layer. 由于空间电荷区较强的内建电场，载流子的数量几乎为零，因此可以认为空间 电荷区中的电荷几乎完全是由电离杂质所提供的，这种空间电荷区就称为耗尽层。 3、Built-in electric field （内建电场） An electric field due to the separation of positive and negative space charge densities in the depletion region. 由于耗尽区正负空间电荷相互分离而形成的电场。 4 、Built-in potential harrier （内建电势差） The electrostatic potential difference between the p and n regions of a pn junction in thermal equilibrium. 热平衡状态下pn 结内p 区与n 区的静电电势差。 5、Depletion region/space charge region/barrier region （耗尽区，空间电荷区， 势垒区） The region on either side of the metallurgical junction in which there is a net charge density due to ionized donors in the n-region and ionized acceptors in the p region. 冶金结两侧由于n 区内施主电离和p 区内受主电离而形成的带净正电与负电的 区域。 详：pn 结界面两侧半导体中的载流子由于存在浓度差梯度而互相向对方区域 扩散，在pn 结界面附近n 区与p 区分别留下了不可动的电离施主和电离受主杂 质离子，分别带有正负电荷，形成空间电荷区，在该区域中建立有电场，形成电 位差，产生相应的势垒，因此pn 结空间电荷区又称为pn 结势垒区，在势垒区中 载流子浓度趋于0 ，即载流子基本“耗尽”，因此又称为“耗尽层”。 6、Depletion layer capacitance / junction capacitance/barrier capacitance （耗尽层电 容，结电容，势垒电容） The capacitance of the pn junction under reverse bias. 反向偏置下，pn 结的电容。 7、Diffusion capacitance （扩散电容） The capacitance of a forward-biased pn junction due to minority carrier storage effects. 正偏pn 结内由于少子的存储效应而形成的电容。 详： 对于正偏pn 结，当外加偏压增加时，注入n 区的空穴增加，在n 区的空 穴扩散区内形成空穴积累，为保持电中性条件，扩散区内电子浓度也相应增加， 电子注入p 区情形类似。这种扩散区中的电荷随外加偏压变化而变化所产生的电 荷存储效应等效为电容，称为扩散电容。 8 、Diffusion conductance （扩散电导）