直流磁控溅射制备ZAO透明导电薄膜及性能研究.pdfVIP

堕小焱等：直流磁控溅射制备ZAO透明导电薄膜及性能研究 直流磁控溅射制备ZAO透明导电薄膜及性能研究’ 陈小焱，王 绿，丁雨田 (兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室，甘肃兰州730050) 摘 要： 运用直流磁控溅射法，采用ZAO陶瓷靶材 现靶材中毒的弊病。直流磁控溅射制备导电率良好的 (A1zO。相对含量2％(质量分数))．结合正交实验表 ZAO陶瓷靶则可以同时避免这两方面的弊端““。磁 通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百 控溅射工艺受到多方面因素的影响，而正交实验设计 分比等参数，在普通玻璃衬底上制备得到Zn()：AI 是研究多因素多水平的一种设计方法，利用一套现成 (ZAO)透明导电薄膜。通过x射线衍射仪(XRD)、扫 的规格化的表格——正交表，根据正交性从全面实验 描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品中挑选部分有代表的因素进行实验。能全面地考察各 的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析。通过 因素问的相互关系、量化它们之间相互影响的大小以 正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZA()薄膜的最及解释因素之间的内在联系一11。借助数理分析，通过 佳组合工艺为基片温度200C，溅射功率40W，氧流量较少数的几次实验，即能推断出最好的实验条件或生 百分比2f)％，退火温度400C，获得薄膜样品最低方块 产工艺。本文结合正交实验表通过改变直流磁控溅射 电阻11Q／口，薄膜具有最好的发光性能，适合作为薄 制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参 膜太阳电池的透明导电电极。 关键词： ZA()薄膜；直流磁控溅射：正交实验；光电 电薄膜．研究多因素相互制约对薄膜结构光电性能的 性能 影响。 中图分类号：0484 文献标识码：A 2 实 验 文章编号：1001—973l(2013)01—0139一04 实验没备采用JDLT100型真空多功能离子表面 1 引 言 冶金及退火联合溅射镀膜系统进行直流磁控溅射．选 1()。相对含量2％(质量分数))。 ZnO及其掺杂体系的薄膜研究是近年来研究的 用ZA()陶瓷靶(A1 热点，向ZnO中掺人的AI替位Zn后就产生了一个多实验所用基片为普通玻璃。工作气压保持在3× 余的价电子，因此掺杂AI元素的结果是增加了净电 子，使ZAO薄膜具有很好的导电性1。此外，ZA()薄节基底温度为25～200C，溅射功率为40～80W，溅射 膜因其禁带宽度较宽，吸收短波限小于可见光，使得 气氛为氧氩混合气体，氧流量在0～20‰调节变化，退 500 ZAO薄膜具有很好的可见光透过性，其可见光透射率 火温度为300 C。玻璃基片经过了丙酮、酒精和 在90％左右。同时，ZA()薄膜还是很好的发光材去离子水的超声波清洗。溅射时先进行10rain的预溅 料=!j，调节材料结构可发出不同波长的光，以满足不同 射以清除靶材表面氧化层和杂质。 ADVANC 采用D8 X射线衍射仪对ZA()薄膜进 领域光电器件的需求。ZnO：A1(ZA())更是被认为 行结构分析(辐射源为Cu靶Ka线)；样品的表面形貌 迄今为止最佳ITO薄膜替代品。二者相比而言，ZAO 薄膜不仅具有与ITO可比拟的电学和光学特性，而且