碳还原法制备电解电容器用一氧化铌粉末.pdfVIP

第35卷 第4麓 稀有金属材料与工程 、b1．35．NO．4 2006焦 4月 RAREMElALMATERlALSANDENGINEERⅡqG 2006 April 碳还原法制备电解电容器用一氧化铌粉末 钟晖1，李荐1，刘建清2，戴艳F耩1，钟海云1 (1．中南大学，湖南长沙410083) (2．株洲宏达电子有限公司，湖南株洲412008) 璃要：一氧毒乏铌港bO)具有与金满裰迓静导电髓力，作兔阳极赋能时，与错、钽、铌等润念属一样，黥程阳极表面 形成介电性能优良的无定型氧化膜。研究了真空碳还原Nb：Os制备NbO的原理、工艺条件以及一氧化铌粉束的理化性 能和电性能等，参照GB／T3137．1995关于电容器用镪粉电性能测试方法，经实测，一氧化铌粉末具有比电容105120／．tF·V／ g，损耗11．2％，瀑毫浚2．5×10一砖／∥，V，表赘萁漫式遥性能已达弱甚至饯予穗液豹嘉邃容镫粉戆永孚；溪耀镫毫容器 生产工艺，探索性地进行了小批量以NbO为阳极的电解电容器生产，其成品合格率达到77％。 关键词：碳还原；一氧化铌；电解电窖器 中图法分类号：TFl23．t 文献擦识码：A 文章编号：1002一185X(2006)04．0596．04 一氧化铌(NbO)具有与金属相近的导电能力[11】， 1 前 言 作为阳极赋能耐，与铝、钽、铌等阀金属一样，能在 电解电容器是电子设备中的基萋窭元件，广泛应薅 阳极表厦形成介电洼笺饶爨的无定壅氧傀貘；壶予阑 在耦合、旁路、滤波、能量转换、控制等电路中。除 极材料为NbO，本身含有一定量的氧，可减缓氧化膜 了已工业化的铝电解电容器和钽电解电容器外，出于 中的氧向基体迁移，从而可塑提高氧化膜的稳定性，使 键资源丰富，价格低廉，性质与钽楣似0,21，旱在19世缛以NbO为阳极的电解电容器可能比金属锯为阳极 纪60年代～70年代就研制过铌电解电容器。当时发现， 的电解电容器瞧能更为稳定魑。根据Nb．0一C体系的 铌电解电容器在可靠性、漏电流、搁濯性能等方面均 较钽电解电容器差，从而阻碍了它的发展。以后的研 碳还原法能制得NbO，但目前尚无这方面的相关报道。 究工作发现【3圳，壶予铌氧化膜中酶氧囱绕基体扩激迁 本实验就Nb205真空碳还原过程原理、工艺条件、产瑟 移的速度比镪氧化膜中氧的迁移速度要大，氧的迁移 NbO的理化性能和电性能等进行了研究，旨在为制备 改变了氧化膜的结构，使得铌氧化膜及铌电解电容器 电解电容器用一氧化铌粉末提供实验基础与理论依据。 的性熊均不如钽稳定；若鼹设法抑制或减缓氧在镪氧 2 实验 化膜中的迁移，即可望提高铌电解电容器的牲熊，使 之接近或达到钽电解电容器的水平。因此近年来研制 2．1 原料、设备及工艺流程 开发性能比锱电解电容器好，价格比钽电解电容器低 2．1．1主要原材料 纛的铌电解电容器雩|起越界范围麴意度关注，并Ⅲ已成 主要骧材料为Nb205耧炭黑，萁化学成分热表l， 为电容器领域的研究热点【『卜10j。 表2所示。 表{ NbxOs的证学或分《娃}，％及犍度 !兰整塑! 竺塾!登i!兰!12罂￡竺!!垒!登兰登受辇苎!垒!!竺!望竺竺!塑垒!竺i 塑堕Q! 旦 里 里! 竺! !i 塑! 璺i !垒 塑望 垒! ! 旦!壁生!!!i!! 兰12