纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能.pdfVIP

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) November Acta Phys. -Chim. Sin. 2014, 30 (11), 2085-2091 2085 [Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201409051 纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其 电化学性能 余会成1,* 黄学艺1 李 浩1 雷福厚1 谭学才1,* 韦贻春1 吴海鹰2 1 ( 广西民族大学化学化工学院, 广西林产化学与工程重点实验室, 广西高校食品安全与药物分析化学重点实验室, 南宁530006; 2 广州有色金属研究院, 广州510651) 摘要: 为了改善分子印迹传感器的灵敏度, 在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中, 以甲基丙烯酸为功能单 体, 马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性 能的分子印迹传感膜. 采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰 过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究, 结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学 性能完全不同. X 射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜. 采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传 感器的形貌进行分析, 发现纳米氧化铜分散在电极表面, 改善了修饰印迹传感器的识别点. 差分脉冲伏安法 -8 -4 - 1 (DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0 × 10 -1.8 × 10 mol ∙L 范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R= -9 -1 0.9994); 检出限2.3×10 mol ∙L (信噪比(S/N)=3). 研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵 敏度及选择性. 此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测, 加标回收率在95.0%-102.5%. 关键词: 纳米氧化铜; 苯巴比妥; 分子印迹聚合物; 电聚合; 传感器 中图分类号: O646 Preparation and Electrochemical Properties of Phenobarbital Molecularly Imprinted Polymer Sensor Based on a CuO Nanoparticle-Modified Glassy Carbon Electrode YU Hui-Cheng1,* HUANG Xue-Yi1 LI Hao1 LEI Fu-Hou1 TAN Xue-Cai1,* WEI Yi-Chun1 WU Hai-Ying2 1 ( Key Laboratory of Guangxi Colleges and Universities for Food Safety and Pharmaceutical Analytical Chemistry, Guangxi Key Laboratory