CeO_2缓冲层热处理对Tl-2212薄膜超导特性的影响.pdf

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第38卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v。1.38No.5 ::!竺!篁!皇旦 =:: :一::丝些型垒兰:皇坠:!兰些三望兰望篁:墅垦兰塑垒望:一::::=一::::=:皇尘壁垡竺竺::: 涛3,何 谢清连1”,游峰2,黄国华1,李建映1,左 季.鲁2,张玉婷2,赵新杰2,方兰2,阎少林2 (1.广西师范学院物理与电子工程学院,南宁530001;2.南开大学信息技术科学学院,天津300071; 3.中国电子科技集团公司第16研究所,合肥230043) 膜在流动氧环境中退火,表面形貌发生显著的变化;CeO:薄膜在最佳条件下退火后,可获得原子级光滑表面,结晶 质量明显提高。实验结果表明,缓冲层的结晶质量和表面粗糙度与T1-2212薄膜的超导特性密切相关。在经过最 佳条件退火后的CeO:缓冲层上制备了厚度为500Bin无裂纹的TI-2212超导薄膜,其临界转变温度(瓦)达到107 MA/cm2(77K,0 K,10GHz)。 K,液氮温度下临界电流密度(Jo)为3.9 T),微波表面电阻(R。)约为281衄(77 关键词:TI-2212超导薄膜;缓冲层;AFM , 中图分类号:0484.1 文献标识码:A Effects Treatmentsof Buffer of Heating Ce02 Layers on ofTI-2212Films SuperconductingProperties XIE Qing—lianl’2,YOUFen92,HUANGGuo—hual,LI Ta03, Jian—Yin91,ZUO HE Shao—lin2 Min92,.IILu2,ZHANGYu—tin92,ZHAOXin-jie2,FANGLan2,YAN of andElectronic TeachersEducation (1.CoUegePhysics Engineering,Guangxi University,Nanning530001,China; ofInformationTechnicalScience,Nankai 2.College University,Ti舭jin300071,China; 3.ChinaElectronnics No.16Research TechnologyGroupCorporation Institute,Hefei230043,China) 7November 9 (Received 2008,acceptedJanuary2009) effectof treatmentonthesurface structureof Abstract:The hilghtemperature morphology,thephase Ce02

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