CeO_2缓冲层热处理对Tl-2212薄膜超导特性的影响.pdf

第38卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v。1．38No．5 ：：!竺!篁!皇旦 =：： ：一：：丝些型垒兰：皇坠：!兰些三望兰望篁：墅垦兰塑垒望：一：：：：=一：：：：=：皇尘壁垡竺竺：：： 涛3，何 谢清连1”，游峰2，黄国华1，李建映1，左 季．鲁2，张玉婷2，赵新杰2，方兰2，阎少林2 (1．广西师范学院物理与电子工程学院，南宁530001；2．南开大学信息技术科学学院，天津300071； 3．中国电子科技集团公司第16研究所，合肥230043) 膜在流动氧环境中退火，表面形貌发生显著的变化；CeO：薄膜在最佳条件下退火后，可获得原子级光滑表面，结晶 质量明显提高。实验结果表明，缓冲层的结晶质量和表面粗糙度与T1-2212薄膜的超导特性密切相关。在经过最 佳条件退火后的CeO：缓冲层上制备了厚度为500Bin无裂纹的TI-2212超导薄膜，其临界转变温度(瓦)达到107 MA／cm2(77K，0 K，10GHz)。 K，液氮温度下临界电流密度(Jo)为3．9 T)，微波表面电阻(R。)约为281衄(77 关键词：TI-2212超导薄膜；缓冲层；AFM ， 中图分类号：0484．1 文献标识码：A Effects Treatmentsof Buffer of Heating Ce02 Layers on ofTI-2212Films SuperconductingProperties XIE Qing—lianl’2，YOUFen92，HUANGGuo—hual，LI Ta03， Jian—Yin91，ZUO HE Shao—lin2 Min92，．IILu2，ZHANGYu—tin92，ZHAOXin-jie2，FANGLan2，YAN of andElectronic TeachersEducation (1．CoUegePhysics Engineering，Guangxi University，Nanning530001，China； ofInformationTechnicalScience，Nankai 2．College University，Ti舭jin300071，China； 3．ChinaElectronnics No．16Research TechnologyGroupCorporation Institute，Hefei230043，China) 7November 9 (Received 2008，acceptedJanuary2009) effectof treatmentonthesurface structureof Abstract：The hilghtemperature morphology，thephase Ce02