fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件.pdf

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2015-09-11 发布于湖北
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第28卷第1l期半导体学报 V01．28No．11 2007年11月 CHINESEJOURNALoFSEMICONDUCTORS Nov．，2007 Dielectricwith GaNMOS--HEMTUltrathin Using A1203 30。8GHz’ ‰x．of Ni HaoYue’，Yue Xiaohua，and Yuanzheng，FengQian，ZhangJincheng，Ma Jinyu SemiconductorMaterialsandDevices，Xidian of聊如Band—Gap University，施’an710071，China) (KeyLaboratory aGaN Abstract：Weon metal-oxide-semiconductor report hi醢electronmobility oxide asthe thethicknessofthe to atomic-layerdeposited(ALD)魁03gatedielectric。Throughdecreasing gate devicewith of is draincurrentofthis 3．5nm，a maximumtransconductance130mS／mm 1“m produced．The gate- bias．The cutoff and MOS-HEMTcanreach720mA／mmat+3．0V current maxi- length gate unity gain frequency mum ofoscillationareobtainedas10。1and frequency 30。8GHz,respectively． ultrathinA120b Keywords；A1GaN／GaN；MOS-HEMT EEACC：2560PACC：7360 CLCnumber：TN386Documentcode：A ArticleID：0253-4177(2007)11．1674．05 lectric．SimilartoSi02，Si3N4，andSc20§E143，A1203 ● 1 Introduction