HPT型Ge量子点红外探测器.pdf

第40豢第5期 红外与激光工程 2011年5月 V01．40No．5 InfraredandLaser Mav2011 Engineering HPT型Ge量子点红外探测器 魏榕山，何明华 (福州大学物理与信息工程学院，福建福州350108) 摘 要：异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器，且与异质结双极晶体管 电区问加入多层Ge量子点材料作为光吸收区。TEM和DCXRD测试结果表明，生长的多层Ge量子 点材料具有良好的晶体质量。为了提高瑚叮的发射极注入效率，采用高掺杂多晶硅作为发射极，并制 作出两端即玎型Ge量子点探测器。室温条件下的测试结果表明，FIPT型量子点探测器具有低的暗电 流密度和高的反向击穿电压。一8v偏压下，Ⅲyr型量子点探测器在1．31斗m和1．55¨m处的响应度 分别为4．47mA／W和0．11nuVW。与纵向PIN结构量子点探测器相比，HPT型量子点探测器在1．31岬 和1．55岬处的响应度分别提高了104倍和78倍。 关键词：异质结光敏晶体管；Ge量子点； 多晶硅发射极； 超高真空化学气相淀积 中图分类号：TN364文献标志码：A 文章编号：1007—2276(2011)05—0791—04 Ge dot quantumphotodetector HPT·type Wei Rongshan，HeMinghua of andInformation 350108，China) (CollegePhysics Engineering，FuzhouUniversity，Fuzhou its currentand fabricationis producehigh gain process Abstract：Heterojunctionphototransistor(HPT)can withthatof this Ge dot compatible heterojunctionbipolartransistor(HBT)．Inpaper，aHPT-typequantum with inthebase-collectorwas UHVI Ge-dot photodetector multilayersincorporated junctiongrownby andDCXRDmeasurementshowed thematerial．Thena two-terminal CVD．TEM goodcrystalquah哆of Ge dot Wasfabricatedto itsemitter witha HPT-typequantumphotodetector improve efficiencyheavily thedark