SiSiNx 超晶格材料的非线性光学特性.pdf

第29卷第6期 发 光 学 报 VoL29 No．6 2008年12月 CHINESE OFI．UMINESCENCEDec．．2008 JOURNAL 文章编号：1000．7032(2008)06．1045JD5 Si／SiM超品格材料的非线性光学特性 申继伟1，郭亨群h，吕蓬1，徐 骏2，陈坤基2，王启明3 (1．华侨大学信息科学与工程学院，福建泉州36202l； 2．南京大学物理系，江苏南京2l0093；3．中国科学院半导体研究所，北京100083) 摘要：采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了s∥siN；超晶格材料。利用吸收光谱和x射线衍射对 材料进行表征。通过皮秒脉冲激光单光束z一扫描技术研究了该材料在非共振吸收区的三阶非线性光学特性， 实验结果表明。样品的非线性折射率为负值，非线性吸收属于双光子吸收。由实验数据得到材料的三阶非线性 极化率实部和虚部分别为1．27×10—7，1．5l×10～e鲫，该值比体硅材料的三阶非线性极化率值大5个数量级。 对材料光学非线性产生的机理进行了探讨，认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应的增强。 关键词：s∥siN，超晶格；三阶非线性极化率；z一扫描；射频磁控反应溅射 中图分类号：0437；0484．4lPACC：4265文献标识码：A 1 引 言 2 实 验 由于硅基纳米材料体现出较强的量子限制作 2．1样品制备 用，其光学特性和体材料相比发生了较大的变化， 采用射频磁控反应溅射在石英衬底上沉积 在光开关和光逻辑元件等领域具有广阔的应用前 Si／siN，超晶格材料，溅射靶材为高纯度单晶Si 景，因此对Si基纳米材料的非线性光学特性开展 靶；选用p型si(100)和石英片为衬底，经过常规 了广泛的研究【1．2J。而超晶格材料作为一种人工 清洗后置于磁控室。高纯Ar作为溅射气体，高纯 剪裁材料，其所呈现出新奇的非线性特性引起了 N：作为反应气体，衬底选择不加热，溅射室本底 真空度为8×10一Pa。实验中在制备SiN。层时 人们的兴趣旧．4】。而SiN，由于其隧穿势垒较低， 在SiN。和Si组成的系统中，二者界面上不会出现 在制备si层时Ar流量为90sccm。实验中每淀 新的发光中心，因此SiN，是一种很好的钝化材 积一层si或siN。后，都要关闭等离子体，并抽 料。自1983年Abeks等1制备a—s∥a-siN，超晶 空反应室内气体，改变反应气体后再进行下一层 格以来，人们对这种材料的研究不断深入[6’9]。 的淀积。为了能精确的控制每一层的厚度，必须 但这些研究主要集中在发光方面，其制备方法主 降低材料的沉积速率，主要通过降低射频功率和 要为PEcVD。利用射频磁控反应溅射技术制备 反应气压来减小沉积速率，实验中射频功率均为 s∥siN。超晶格材料的非线性光学特性的研究尚150 W，反应气压PsiN．=O．8Pa，Psi=1Pa，在这种 未见有报道。本文利用射频磁控反应溅射技术与 条件下可以将沉积速率控制在每分钟几个纳米之 热退火处理制备s∥siN，超晶格材料，利用Z一扫内。样品共淀积4个周期，其中si层厚度为6 描技术测量了材料的非线性折射率，得到了该材 姗，SiN，层厚度为