Si中30#176;部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟.pdf

V01．45 第45卷 第4期 仓属学改 No．4 2009年4月第40m一404页 ACTAMETALLURGICASINICA Apr．2009PP．400—404 si中30。部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟 王超营 孟庆元 王云涛 (哈尔滨工业大学航天科学与力学系，哈尔滨150001) 摘要 不同温度，剪应力作用F的计算结果表明，在温度恒定条件下，剪应力较小时，V1对位错有钉扎作用；当施加的剪应力达到临界剪 应力时，位错脱离VI的钉扎继续运动，并且将VI遗留在晶体中；随温度的升高，临界剪应力近似线性下降．通过不含VI和含有 VI的模型中位错芯位置的对比后发现，VI对滑过它的30。部分位错有明显的加速作用． 关键词Si，30。部分位错，单空位，分子动力学，弯结 中图法分类号 0411．3，077文献标识码 A 文章编号0412～1961(2009)04—0400—05 MoLECULARDYNAMICSSIMULATIoNOFTHEINTER． ACTIoNBETWEEN300PARTIALDISLoCATIoN AND IN MONOVACANCYSi WANG Yuntao Chaoying，MENGQingyuan，WANG ofAstronauticalScienceand Instituteof 150001 Dept Mechanics，HarbinTechnology，Harbin Correspondent：MENG NationalNatural Foundation Supportedby Science ofChina(No received revisedform2008—12-08 Manuscript2008-09-08，in in ABSTRACTDislocationand thefundamentaldefectsSi．Theinteraction monovacancy(V】)are betweenthemiSconcernedwiththeelectronicand ofelectronicdevices．Inthis opticalproperties paper． theinteractions withV1inSiwere of dislocation themolecular 30。partial investigatedby dynamics simulationmethodbasedonthe simulationswereconducted Stillinger—WbberfSW)potential．The underdifierent andshearstressconditions．Theresultsshowthat dislocation temperature 30。partial is V1undertheconditions whendislocationencountersthe