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第 33 卷第 6 期 中　国　科 　学 　技 　术 　大 　学 　学 　报 Vol . 33 , No. 6 2003 年 12 月 JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA Dec . 2003 ( ) 文章编号 2003 4 HSiC 肖特基势垒二极管温度特性研究 胡林辉 ,谢家纯 ,王丽玉 ,徐 　军 ,易　波 ( 中国科学技术大学物理系 , 安徽合肥 230026) 摘要 :采用平面工艺 ,用高真空电子束分别蒸发金属 Ni 、Ti 做肖特基接触 ,采用多层 金属 Ni 、Ti 、Ag 合金做欧姆接触 ,制作出 Ni/ 4 HSiC 、Ti/ 4 HSiC 肖特基势垒二极管 ( SBD) . 研究了在 - 100～500 ℃之间器件正向直流压降与温度变化的关系. 实验表 明:当通过肖特基势垒二极管的正向电流恒定时 ,器件正向直流压降随温度变化具有 线性关系 ,斜率约为 1. 8 mV/ ℃, 由此 ,提出了以4 HSiC 肖特基势垒二极管为基础的 高温温度传感器模型. 关键词 :碳化硅 ; 肖特基 ;二极管 ; 温度 中图分类号 : TN 3 　　　文献标识码 :A 0 　引言 第三代宽带隙半导体材料 SiC 具有高击穿电场 、高饱和电子漂移速率 、高热导率及抗辐 照能力强等一系列优点[ 1 ] ,特别适合制作高压 、高温 、高功率 、耐辐照等半导体器件 ,使得其 在航空航天综合工程 、核动力工程 、矿物开采与加工 、化学工业 、汽车制造业等领域有着广泛 的应用前景. 近年来 ,SiC 器件在高温特性研究和应用方面都取得了很大的进展. Shanbhag [2 ] 报导了击穿电压达 600 V 的商业 4 HSiC 肖特基势垒二极管的工作温度可低至 - 196 ℃ , Casady 报导了能工作于 25～500 ℃的掺杂 6 HSiC 温度传感器[3 ] ,西安电子科技大学微电 子所研究了4 HSiC MO SF E T 器件的温度特性 ,模拟结果表明4 HSiC MO SF E T 可以在 530 ℃下正常工作[4 ] . 这些都显示了 SiC 器件在高温高压领域的优势. 本文研究 4 HSiC 肖特基 ( ) 势垒二极管在宽区间温度范围 - 100～500 ℃ 内的特性 ,实验表明: 当流过肖特基势垒二 极管的电流恒定时 ,器件的正向压降与温度变化之间具有线性关系. 由此 ,提出基于 4 HSiC 肖特基势垒二极管的高温温度传感器模型 ,可应用于高功率电路片上自测温系统等场合. 1 　器件制备 ( ) [5 ] 实验器件是美国Cree 公司生产的肖特基势垒二极管 SD T06 S60 和本实验室研制的 ( ) + μ Ni 、Ti 肖特基势垒二极管 图 1 . 衬底材料是 n 型 4 HSiC 基片 ,厚度为 300 m , 电阻率为 收稿 日期 ( ) ( ) 　基金项 目: 国家自然科学基金资助项 目 50 132040