ZnSCdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究.pdf

黄杨等：ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究 ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究。 黄 杨，黎 兵，王洪浩，颜 璞，李愿杰，刘 才，孟奕峰，冯良桓 (四川大学材料科学与工程学院，四川成都610064) 摘要： 为了提高CdTe太阳电池的效率，ZnS／CdS 单带差超晶格被创新性地提出。用射频磁控溅射法制 备了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜，用SEM观察样品 截面，分层清晰；测试了ZnS／CdS单带差超晶格薄膜 的透过谱图，在300～800nm波长范围内存在4个明 显的透过峰。相较于CdS单层膜与ZnS单层膜，ZnS／ CdS单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应 图1 单带差超晶格的能带结构图 十分明显，说明ZnS／CdS单带差超晶格薄膜的电子能 l The bandstructureof off- Fig energy figure single 带与光子吸收方式发生了明显的变化。理论上可以提 set superlattice 高CdTe太阳电池的效率。 用磁控溅射技术制备了ZnS／CdS单带差超晶格 关键词： ZnS／CdS单带差超晶格；磁控溅射；光透过 薄膜，观测截面形貌，测量了在300～800nm光波长范 性质 围内的光透过谱图。分析其作为CdTe太阳电池窗口 中图分类号：0614．24 文献标识码：A 层对电池效率的影响。 文章编号：1001—9731【2009)04-0643—02 2 实 验 1 引 言 实验采用由沈阳科学仪器研究所制造的JP350型 近10年来，随着科学技术的发展，利用材料的小 磁控溅射装置制备样品。衬底为lmm厚的普通玻璃。 尺寸效应、表面效应和量子隧道效应[1’2]，将纳米技术 与传统表面技术相结合，可制备出性能更为优异的超 晶格。超晶格相邻物质能带结构的不同，可以增加薄 取出衬底，用真空干燥箱或红外灯烘干后放人溅射装 膜对不同波长范围光的有效吸收。超晶格的表面效 置中。先开启电离电源，将衬底对准清洗棒清洗l～ 应、隧道效应等对电子的传输也有影响[3]。使这种结 2min，除去衬底表面附着的粒子。靶与衬底问的距离 构的材料极大地吸引了太阳电池研究者们。 太阳电池窗口层材料的光透过性质对太阳能电池 的性能有着重要影响。单层的CdS多晶薄膜已经用 于CdTe太阳电池吸收层，得到了较高的效率[43；宽禁 厚度均为100nm左右。重复溅射几个周期，就制得了 带半导体ZnS是一种良好的窗口层材料[5]，但是它与 ZnS／CdS超晶格薄膜。 CdTe吸收层的晶格匹配较差。我们创新性地提出 样品的剖面图采用SEM扫描。可见紫外光透过 ZnS／CdS单带差超晶格，所谓单带差超晶格，即是指 谱采用日本岛津公司生产的UV一2100型紫外分光光 导带差或价带差等于零或近似为零的超晶格。普通半 度计测量。采用美国Ambio