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NBTI的研究进展和改善途径,nbti效应,022cr18nbti,022cr18nbti对应牌号,nbti测试,改善公共服务的途径有,人际关系改善的途径,糖尿病最新研究进展,气候变化研究进展,石斛的研究进展
NBT
I的研究进展和改善途径
尹彬锋，周柯
(中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，上海201203)
NBTI的两种衰退机理(反应一扩散模型和电荷俘获一脱离模型)，指出它们各自的适用范围，并针对
新的NBTI测试方法的采用，探讨了对可靠性性能估计的影响。最后总结了遏制NBTI效应的研究成果。
关键词：负偏压温度不稳定性；反应一扩散模型；电荷俘获一脱离模型；界面陷阱电荷
ofNBTI andProcess
DevelopmentStudy Improvement
YIN Ke
Bin-Feng，ZHOU
(Semiconductor
manufacturingInternational(Shanghai)Corp．Shanghai201203，China)
of
Abstract：Thisintroducedbasic NBTIonPMOSFETdevice．TwomodelsofNBTI
paper theory
Modeland effectofnew
Model)arediscussed．Furthermore，themeasurementmethod
ChargeTrapping／De-trapping
on assessmentis last，this summarizedtheresearchresultsto
reliability presented．Atpaper improve
Bias in
TemperatureInstability)effectprocess．
Keywords：NBTI；Reaction-Diffusion model；interface
model；ChargeTrapping／De—-trappingtrapped
charge
1 引言 2 NBTI效应的产生机理
bias NBTI主要是由硅／氧化层界面陷阱电荷和氧
NBTI(negativetemperatureinstability)效应
发生在PMOS器件中，当器件的栅极处于负偏压下化层电荷的变化而引起的。在栅极的硅／氧化层界
时，器件的饱和漏极电流Idsat和跨导Gm不断减
小、阈值电压绝对值不断增大。这种导致器件性能衰 Si·，一般认为在工艺工程上，H会和硅的悬挂键结
退的NBTI效应，会随着栅极上的偏置电压的增加合形成Sill键，称为氢钝化。但是在器件工作中会在
和温度的升高而更加显着。 栅极上形成一个高电场，此时Sill键就容易被打断，
形成H，H+或H：，反应过程如式1，2所示I-】：
万方数据
Si3SiH--’．Si·+HO (1)
(2) 应引起的电性参数衰退在撤去电场条件后最多可以
Si3_SiH+H+-+Si3-Si·+H2
这样硅的悬挂键就会吸引一个电荷，成为带正 恢复80％，即使是在电场条件撤去后的1秒钟以
电性的界面陷阱电荷(Interface 内，就可以恢复50％m。而且恢复程度是随应力时间
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