SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响.pdfVIP

SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响.pdf

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第24卷,第7期 光谱学与光谱分析 200 4年7月 and SpectrOsc。pySpectralAnalysis July,2004 Si02厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响 刘姗姗,滕 枫,徐 征,刘 明,孙世菊,徐叙珞 北京交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放研究实验室,北京 100044 摘 的短波发光峰。通过2个发光峰随SiQ层的厚度的变化规律,研究了Si02对电子的加速能力。 主题词类阴极射线发光;异质结;电子加速 中图分类号:0482文献标识码:A 文章编号:1000—0593(2004)07—0790—05 引 言 薄膜电致发光的主动发光、全固体化等优点,同时具有选材 广泛,容易实现蓝色发光等优点,成为平板显示领域的研究 随着信息化的发展,显示器件在人们的生活中越来越重 热点。尤其是共轭聚合物电致发光器件,具有可加工性好, 要,它涉及到办公自动化设备、通信设备、工业自动化设备、 柔韧性,成膜性好,能带结构通过化学方法易于调节等众多 各类数字字符显示多个领域,并渗入到了我们工作和生活的 优点,成为平板显示领域中最具有竞争力的分支之一【5。8J。 每个角落。从市场角度来看,全球的显示器件的产值与整个 传统的有机电致发光(包括小分子和聚合物器件)属于注 IC的产值不相上下。cI汀技术是目前最成熟也是市场占有入式发光。有机发光材料夹在两电极之间或者再加一层或两 率最大的一种技术,但是由于它需要真空腔来加速电子束, 层载流子传输层,电子和空穴分别由阴极和阳极注入,二者 所以体积庞大,而且难以实现大尺寸器件。平板显示器件是 复合形成激子,激子在发光区域复合,其中辐射复合就产生 显示器件的发展趋势,目前成熟的技术是液晶显示器件,但 发光。电子与空穴复合形成激子时,既可以形成单线态激 是液晶显示器件本身有许多缺点,比如,不主动发光,需要 子,又可以形成三线态激子,根据自旋选择定则,单线态激 背照明;适用条件苛刻,既不能适用高温和低温环境,也不 子的复合是允许的,而三线态激子的复合是禁戒的。通常情 能抗振;难以制备大尺寸显示器件;视角小等。这些缺点决 况下,只有单线态激子才能复合发光,因此,传统的有机发 定了液晶显示器件并不能很好地适应人们的需要,市场需要 光器件的发光效率比较低。为了提高发光效率,首先要求载 性能更好、成本更低廉的平板显示器件。无机薄膜电致发光 流子平衡注入;文献中有的工作利用了三线态激子发光,使 具有很好的特性…,与液晶相比,无机薄膜电致发光器件首 发光效率有了一个明显的突破旧’”J,但是,三线态激子发光 先是主动发光器件,而且器件的视角大,反应速度快;另外, 毕竟是禁戒的,其发光弛豫时间比较长,这对动态显示不 器件的适用条件比液晶器件宽得多,能适应较高温度和低温 利。而在无机薄膜电致发光的研究中已经知道,宽禁带半导 工作环境,由于是全固体器件,所以抗振性能也非常好;此 体中导带电子可以在高电场下加速,获得高能量,成为过热 外,其制备工艺要比液晶器件简单一些,如果能规模生产,

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