微观粒子的运动课件.pptVIP

I=V/ R （4-1） R=ρL/S； （4-2） ρ: 电阻率 , Ω·m ；Ω·cm L：导体的长度；S：截面积 σ=1/ρ （4-3） σ：电导率，Ω-1·cm-1 在一定的V，L，S下，不同的导体的导电性能是由电阻率或电导率决定的。 R=ρL/S 代入 I=V/ R 得 ： I= VS/ρL= VSσ/L=σ· S·E 电流密度：J= I/S 欧姆定律微分形式： 电流密度：J=σ·|E| （4-7） |E|=V/L E：V/cm; J：A/cm2 在一定的电场强度下，J由电导率决定。 半导体的电导率 对于n型半导体；σ= nqμn = nq2τn/mn* （4-45） 对于p型半导体：σ= pqμp = pq2τp/mp* 对本征半导体： σ= nqμn+pqμp = nq2τn/mn* + pq 2τp/mp* 载流子散射 1）电离杂质散射：载流子与电离杂质由于库仑作用引起的散射。 杂质浓度有关：杂质浓度越大，散射越强，迁移率 越低。 与温度有关：温度越大，载流子运动快，散射小，温度低，载流子运动慢，散射大。 P ∝Ni/ T3/2 （4-19） τi ∝T3/2/Ni 2）晶格振动散射：由于晶格原子振动引起的载流子散射 温度越高，晶格振动越剧烈，散射越强。 声学波散射：P ∝ T3/2 （4-29） τs ∝ T-3/2 温度高，振动剧烈，散射强，平均自由运动时间短。 光学波散射： 公式（4-30） v1:纵光学波振动频率；hvl:纵光学声子的能量 3）其它因素引起的散射： 中性杂质散射；位错散射；等能谷间散射、载流子之间的散射。 迁移率与杂质和温度的关系 电离杂质散射： P ∝ Ni/ T3/2 ；τi ∝ T3/2/Ni （4-51） 声学波散射： P ∝ T3/2； τs ∝ T-3/2 （4-52） 光学波散射： P ∝1/[exp(hvl/K0T)-1]；τo ∝{exp(hvl/K0T)-1} （4-53） 根据μ= qτ/m*，得： 电离杂质散射： μi ∝ T3/2/Ni （4-54） 声学波散射： μs ∝ T-3/2 （4-55） 光学波散射： μo ∝{exp(hvl/K0T)-1} （4-56） 任何时候，都有几种散射机理存在，因此有： 载流子平均自由运动时间： 1/τ=1/τi+1/τs+1/τo+… （4-58） 迁移率： 1/μ=1/μi+1/μs+1/μo+.. （4-59） * South China Normal University * South China Normal University * South China Normal University 微观粒子的运动 欧姆定律 半导体的导电性 漂移速度和迁移率 载流子散射 半导体的电导率和迁移率 迁移率与杂质和温度的关系 1、欧姆定律 1、欧姆定律 2、微观粒子的运动 微观粒子的平均热运动动能=3/2kT k：波尔兹曼常数，1.380×10-23 J/K; 8.62×10-5eV/K 1/2mV2=3/2kT； 自由电子300 K温度下： V≈1 .2×107cm/s=1 .2×105m/s J：单位时间通过垂直于电流 方向的单位面积的电子电量 电流密度：J=-nqVd （4-9） Vd：平均漂移速度 由：J=σ·|E| Vd=μ|E| （4-10） J=nqμ|E| 微观情况下，电导率： σ= nqμ 迁移率：μ，单位电场强度下电子的平均定向运动速度，cm2/V·s 3、漂移速度和迁