单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析.pdfVIP

　第 19 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 1　 V o l N o 　1998 年 1 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan 单场限环结构击穿电压的 表面电荷效应分析 唐本奇　高玉民　罗晋生 ( 西安交通大学微电子工程系　西安　710049) 摘要　本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式, 并根据场限环优化条件, 首次建立了 单场限环表面电荷效应优化模型, 得到了考虑表面电荷效应后, 优化单场限环结构击穿电压以 及优化环间距的归一化计算公式. 分析了表面电荷密度对场限环结构耐压和优化环间距的影 响, 计算结果与文献中的数值模拟结果相符合, 推得的公式可应用于场限环结构的实际设计. : 2530 , 2530 PACC B E 1　引言 由于平面工艺的硅氧化过程在 层及 界面上, 不可避免地引入一定量的可 SiO 2 SiO 2 Si 动离子和固定电荷, 这些表面电荷对高压器件及其终端结构的耐压特性存在着明显的影响. 场限环结构是功率器件常用的结终端技术之一, 它通过场限环分压, 降低了结表面区由 曲率效应引起的高电场, 从而提高了主结的击穿电压, 文献[ 1, 2 ]通过数值方法模拟了表面 电荷对场限环结构电场分布及耐压的影响, 文献[3 ]利用泊松方程及拉普拉斯方程圆柱解, 得到了有表面电荷时具有场限环 + 结表面电场与电位分布公式. P N 本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式, 根据场限环结构优化条件, 采用解析 方法首次得到了考虑表面电荷效应后, 优化单场限环结构击穿电压和优化环间距的归一化 计算公式. 由此, 分析了表面电荷密度对场限环耐压和优化环间距的影响. 计算结果与文献 中的数值模拟结果相符, 推得的公式可用于场限环结构的实际设计. 2　单场限环结构耐压的表面电荷效应分析 对于结深为 j , 外延层掺杂浓度为 D , 表面电荷密度为 f 的 + 突变平面结, 如图 1 r N Q P N 14 15 - 3 为 1010 11 - 2 所示, 在 rj 为 3～ 10m ,N D 为 10 ～ 10 cm , Q f ～ 4 ×10 cm 范围内, 柱面结区域 [ 4 ] 的电场可近似表示为 : 　 本项目得到了国家自然科学基金的资助 唐本奇　男, 1966 年出生, 博士生, 从事功率集成电路及结终端技术研究 收到,定稿 1 期　　　　　　　　唐本奇等: 　单场限环结构击穿电压的表面电荷效应分析　　　　　　　 39 ( ) ( ) 　E r = K r 1 其中　 ( ) = 1+ 0 04 ( 1011 ) 18 , 为与 Q f Q f K N D 和介电常数有关的量. ( ) 对式 1 求 F loup 电离