原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
含F栅介质的FowlerNordheim效应,高k栅介质,栅介质,质谱介质效应大,栅栏效应,绝缘栅型场效应管,效应栅极mos,绝缘栅场效应管,双栅场效应管,双栅极场效应管
第 19 卷第 8 期 半 导 体 学 报 . 19, . 8
V o l N o
1998 年 8 月 . , 1998
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug
含 栅介质的 - 效应
F Fowler Nordhe im
张国强 严荣良 余学锋 高剑侠 任迪远
( 中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐 830011)
摘要 本文建立了一套用于M O S 电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统, 用高频和准
静态 技术, 分析研究了栅介质中 离子的引入所具有的抑制 高场应力
C V F Fow ler N o rdheim
损伤的特性, 对 F 离子和高场应力作用机制进行了讨论.
: 7340 ; : 2550 , 2560
PACC Q EEACC E R
1 引言
随着大规模集成电路的空间应用和发展, 电离辐射、热载流子损伤和栅击穿已成为影响
M O S 器件电路可靠性工作的三个主要因素. 因此, 研究抗电离辐射和热载流子损伤的M O S
新介质, 已成为当前国内外微电子学领域最主要的课题之一.
在 结构栅介质中引入适量的 离子, 将表现出较强的抗 、质子、 射线损伤的能
M O S F
力[ 1～ 3 ] , 但关于含 栅介质的抗 注入损伤研究却少见报道.
F Fow ler N o rdheim
沟道热电子损伤和 ( 简称 ) 注入损伤是两类主要的热载流子损
Fow ler N o rdheim F N
伤, 前者发生在 , 而后者可发生于 或 电容. 注入可采用高场
M O SFET M O SFET M O S F N
应力 (H igh F ield Stress) 也可采用高电流注入(H igh Cu rren t In jection) , 它们既有区别又有
联系, 其结果都是对栅氧介质产生均匀损伤, 损伤主要包括氧化物电荷建立和 界面
Si SiO 2
态的增长, 以及慢界面态产生和栅介质电容下降等次要损伤.
本文用高频和准静态 技术, 研究了含 栅介质在 高场应力作用后的热载流子
C V F F N
损伤特性, 发现M O S 结构栅介质中引入一定量的 F 后, 具有明显的抗热载流子损伤特性. F
所具有的释放 2 界面应力和替换部分 - 、 - 等弱键的作用, 是导致含 栅
S
文档评论（0）