第4章. 半导体物理 半导体的导电性.pptVIP

练习 P141－2； 作业 P141- 3; P141- 7; P142- 10; P142- 13; 迁移率和杂质与温度关系: 迁移率和杂质浓度的关系: 决定于载流子浓度和迁移率 1.电阻率与杂质浓度的关系 n型 ： p型 ： 本征 ： 4.4 电阻率随杂质浓度及温度的变化 与杂质浓度和T有关 （1)轻掺杂时（1016~1018cm-3） n＝ND p＝NA 迁移率为常数 反比 (2)杂质浓度增加时，曲线严重偏离直线 不能全部电离 迁移率显著下降 对比 生产上有何应用价值？ 硅、锗、砷化镓300K时电阻率与杂质浓度关系 特征如何 2.电阻率随温度的变化 本征半导体：ni随温度的上升而急剧增加，而迁移率随T升高而下降较慢，所以本征半导体的电阻率随着温度增加而单调下降，这是半导体区别于金属的一个重要特征。 载流子浓度：杂质电离、本征激发 迁移率：电离杂质、晶格散射 有何特征？ 杂质半导体： 硅电阻率与温度关系示意图 本征区（C段）： 低温区(AB段)： ①本征激发忽略，杂质未全部电离。T↑，载流子浓度 ↑； ②此范围晶体振动不明显→电离杂质为主。μ随T↑而↑ ，ρ随T↑而↓ 饱和区（包括室温） (BC段) ： ①温度升高，杂质全部电离 ，本征激发还不十分明显，载流子基本不变 ②晶体散射起作用，使μ随T↑而下降，ρ随T↑而↑ 温度继续升高，本征激发为主，本征载流子的产生远超过迁移率减小对电阻率的影响， ρ随T↑而急剧↓ 填空： 杂质浓度越高，进入本征导电占优势的温度（ ）； 材料的禁带宽度越小，则同一温度下本征载流子的浓度（ ），进入本征导电的温度（ ）。 越高 越高 越低 * * Chapter 1:半导体中电子运动的基本特征和能量状态→载流子 具有类似于自由荷电粒子的性质 Chapter 3:在平衡状态下，两种载流子浓度与半导体结构、所含杂质以及温度的关系 Chapter 4:在电场作用下，半导体中载流子运动所引起的一些主要现象及运动规律 实际半导体器件总是工作在一定的 外部条件（如电场、磁场、….） 载流子在外加电场作用下的漂移运动(包括与其相联系的材料的主要参数如迁移率、电导率、电阻率等)，并讨论影响这些参数的因素。 散射（晶格振动、杂质、晶格畸变） 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 无外加电场作用时：载流子热运动是无规则的，运动速度各向同 性，不引起宏观迁移，从而不会产生电流。 外加电场作用时：载流子沿电场方向的速度分量比其它方向大， 将会引起载流子的宏观迁移，从而形成电流。 漂移运动：由电场作用而产生的、沿电场力方向的运动（电子和空穴漂移运动方向相反）。 漂移速度：定向运动的速度。 漂移电流：载流子的漂移运动所引起的电流。 无电场下载流子热运动 外电场作用下电子漂移运动 1.欧姆定律的微分形式 均匀导体， |E|=V/l J=I/s 物理意义：导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度， 比例系数为电导率。 欧姆定律的微分形式 欧姆定律 电流分布不均匀 电流密度（垂直于电流方向的单位面积的电流） 电导率 电流密度与平均漂移速度关系 电子漂移电流密度 Jn=-nqvdn（n型） 空穴漂移电流密度 Jp=pqvdp （p型） （vdn和vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度） 2.漂移速度（drift velocity）和迁移率（mobility） 在本征情况下， J= Jn+ Jp 电场不太强时，漂移电流遵从欧姆定律 n型半导体，np，JnJp n不随电场变化， 为一常数， 通常用正值μ表示其比例系数，电子的迁移率 意义：单位场强下电子的平均漂移速度, 单位是m2/V·s 或者cm2/V·s 电子漂移电流密度Jn=-nqvdn （电子和空穴） 欧姆定律微分形式 反映了外电场作用下漂移运动的难易程度 不同半导体材料，μn、μp不同 即使是同一种材料中，μn和μp也不同，一般来说μnμp 迁移率的性质： 3.半导体的电导率（conductivity） 电子、空穴的漂移电流 n型半导体： p型半导体： 混合型： 本征半导体： 4.2 载流子的散射（Scattering） f a vdn增加 Jn=-nqvdn Jn增加 ？ Jn恒定 恒定E 1.载流子散射的概念 载流子热运动示意图 改变运动状态 电子和晶体不断交换能量,达到热平衡 产生散射（即热运动载流子不断地与晶格、杂质发生“碰撞”） 载流子热运动 原子热振动 杂质 载流子在两次散射之间才真正是自由运动的。其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由