第八章 回复与再结晶.pptVIP

外力使金属变形时，外力对金属作功。这些能量大部分转化为热量散失到环境中；有一部分能量（2~ 10%）保存到变形金属中-形变储存能，金属处于不稳定状态。 金属塑性变形后，其组织性能发生了很大变化，为了恢复性能，需要加热-退火。 加热时，不稳定状态的金属将发生一系列转变，逐步向平衡状态转变。 8.1冷变形金属在加热时的组织与性能变化 (1)组织变化 分为回复、再结晶和晶粒长大三个阶段。 回复阶段：显微组织仍为纤维状，无可见变化； 再结晶阶段：变形晶粒通过形核长大，逐渐转变为新的无畸变的等轴晶粒。 晶粒长大阶段：晶界移动、晶粒粗化，达到相对稳定的形状和尺寸。 没有发生相变。 (2)变形储存能量的释放 能量存在形式：位错（80～90％）、弹性应变能（3～12％）和点缺陷 储存能的释放：原子迁移至平衡位置，储存能得以释放。 (3)变形金属加热时的性能变化 1 力学性能 回复阶段：强度、硬度略有下降，塑性略有提高。 再结晶阶段：强度、硬度明显下降，塑性明显提高。 晶粒长大阶段：强度、硬度继续下降，塑性继续提高， 粗化严重时下降。 2 物理性能 密度：在回复阶段变化不大，在再结晶阶段急剧升高； 电阻：电阻在回复阶段可明显下降。 8.2 回复（1）回复的特征 回复过程中，宏观内应力消除； 强度、硬度基本不变?位错密度基本不变； 显微组织不变?大角度晶界没有移动 回复退火的应用-去应力退火 降低应力（保持加工硬化效果），防止工件变形、开裂，提高耐蚀性 （2）回复机理 回复实质是晶体中点缺陷和位错移动，主要是空位的扩散，从而改变缺陷分布和缺陷数量的过程。 回复的驱动力：形变储存能 具体回复机制与温度有关。 低温回复 温度0.1－0.3Tm 点缺陷（主要是空位）运动使点缺陷密度降低，如 移至自由表面、晶界 空位＋间隙原子对消 空位与位错发生作用而消失，如位错攀移 空位聚集崩塌成为位错环 电阻率明显变化 中温回复 温度0.3－0.5Tm 位错进行滑移和交滑移，位错密度略有降低 异号位错相遇而抵消 位错重新排列、缠结程度降低 亚晶粒规整化 高温回复 温度0.5Tm 原子活动能力强，G降低。位错可以攀移、滑移和交滑移，位错垂直排列形成多边化亚晶粒-多边化。 多变化可以降低弹性畸变能，消除宏观、微观应力。 亚晶略有长大。 （3）回复动力学 回复是晶体缺陷减少的过程，可用一级反应方程表达 屈服强度的回复动力学与以上公式相符 没有孕育期； 开始变化快，随后变慢； 长时间处理后，性能趋于一平衡值。 实验证明，Q与空位的扩散激活能十分接近，说明回复过程主要是由空位扩散实现的。 8.3 再结晶 再结晶是低位错密度、等轴晶粒取代高缺陷密度、拉长晶粒的过程。 再结晶是形核长大过程,但不是相变 再结晶的驱动力也是形变储存能（位错能量） 再结晶彻底改变变形组织，消除加工硬化等冷变形影响。 8.3.1再结晶的形核与长大 (1) 形核 再结晶形核就是形成小块低缺陷的区域；是依靠可动性较大界面的突发式移动实现的。 界面的移动性取决于两个因素 界面两侧晶体的位向差大小； 界面两侧形变储存能差别大小 界面两侧差别较大，界面的可动性较高，容易形核。 大角度晶界； 亚晶界。 形核时能量变化 设界面两侧1，2两(亚)晶粒中，2位错密度较高，1中位错密度较低； 驱动力-两侧单位体积储存能差?ES; 阻力-新增界面能 总自由焓变化 形核机制 亚晶长大形核机制 （变形量较大时） 亚晶合并形核 亚晶界移动形核（吞并其它亚晶或变形部分） 晶界凸出形核（变形量较小时） 晶界弓出形核，凸向亚晶粒小的方向 （2）长大 驱动力：界面两侧的畸变能差 方式：晶核向畸变晶粒扩展，直至新晶粒相互接触。 无畸变晶粒长大是形变储存能释放的过程，自发过程。 再结晶不是相变过程。 8.3.2再结晶动力学 开始时再结晶速度很小，在体积分数为0.5时最大，然后减慢 再结晶温度 再结晶温度并非定值，与成分、原始组织、变形量、加热条件等有关。 规定：经严重冷变形（变形量70%）的金属或合金，在1h内能够完成再结晶的（再结晶体积分数95%）最低温度为材料的再结晶温度。 高纯金属：T再＝(0.25~0.35)Tm。 2 经验公式 工业纯金属：T再＝(0.35~0.45)Tm。 合金：T再＝(0.4~0.9)Tm。 注：再结晶退火温度一般比上述温度高100～200℃。 8.3.3 影响再结晶的因素 退火温度。温度越高，再结晶速度越大。 变形量。变形量越大，再结晶