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第六章 CVD技术简介
第一节 化学气相沉积技术的发展历史 化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术． 化学气相沉积原意为化学蒸汽沉积(Chemical Vapor Deposition, For Short CVD) ２０世纪６０年代该项技术的另一名称为蒸汽镀 根据沉积过程分为PVD和CVD PVD包括：真空蒸发、溅射、离子镀 直接依靠气体反应或等离子体放电增强气体反应的称为CVD或PCVD or PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 20世纪50年代注重于刀具涂层的应用。 20世纪60~70年代注重于半导体和集成电路技术发展和生产需求，CVD技术成为超纯硅原料的唯一生产方法和Ⅲ~Ⅴ族半导体、Ⅱ~Ⅵ族半导体单晶外延的基本生产方法。 20世纪80年代低压CVD金刚石薄膜 第二节 化学气相沉积的技术原理 CVD技术在无机合成和材料制备的特点： 淀积反应发生则淀积物按原有固态基底的形状包复薄膜 可以得到单一的无机物质，作为原材料制备 若采用某种基底材料，在淀积物达到一定厚度并又容易与基底分离，可得到特定形状的器具 可以淀积生成晶体或细粉末状物质 CVD技术的要求 反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质 反应易于生成所需要的沉积物而其它副产物保留在气相中排出或易分离 整个操作较易于控制 化学气相沉淀的反应类型 简单热分解和热分解反应沉积 氧化还原反应沉积 合成反应沉积 化学输运反应沉积 等离子体增强的反应沉积 其他能源（激光）增强的反应沉积 第三节 化学气相沉积的装置 气源控制部分 沉积反应室 沉积温控部件 真空系统 压力控制系统 其他（增强或激活设备） 半导体超纯多晶硅的沉积生产装置 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 等离子体增强CVD装置 第四节 CVD技术的理论基础 气相生长动力学模型 CVD金刚石的热力学模型 激活低压金刚石气相生长 * * 环状 喷口 衬底 低压系统 Plsama 微波 发生器 Cooling Water Microwave O2 MFC O2 Pump Aerosol MFC Ar Ar 脉冲式 计量泵 超声波 发生器 Precursor 超声喷嘴 ECR 控制面板 前驱液 多孔阀 控温系统 电炉 Ni-Cr板 气相 外延层 CG CS J1 J2 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ 使用时，直接删除本页！ 精品课件，你值得拥有！ 精品课件，你值得拥有！ *
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