第四章 溅射工艺.pptVIP

?三级或四级溅射 二极直流溅射只能在高气压下进行，因为它是依赖离子轰击阴极所发射的次级电子来维持辉光放电。 当气压下降（ 1 . 3 -2.7Pa） 时， 阴极暗区扩大，电子自由程增加，等离子体密度下降，辉光放电将无法维持。 负电位 三、溅射镀膜的类型 ?三级或四级溅射 稳定电极电位 三、溅射镀膜的类型 ?三级或四级溅射 特点： 缺点： 1. 靶电流和靶电压可独立调节，克服了二极溅射的缺点； 2. 靶电压低（几百伏），溅射损伤小； 3. 溅射过程不依赖二次电子，由热阴极发射电流控制，提高了溅射参数的可控性和工艺重复性； 不能抑制电子轰击对基片的影响（温度升高）；灯丝污染问题；不适合反应溅射等。 三、溅射镀膜的类型 ?射频溅射 三、溅射镀膜的类型 ?射频溅射 三、溅射镀膜的类型 ?射频溅射 特点： 缺点： 1. 电子与工作气体分子碰撞电离几率非常大，击穿电压和放电电压显著降低，比直流溅射小一个数量级； 2. 能淀积包括导体、半导体、绝缘体在内的几乎所有材料； 3. 溅射过程不需要次级电子来维持放电。 当离子能量高时，次级电子数量增大，有可能成为高能电子轰击基片，导致发热，影响薄膜质量。 三、溅射镀膜的类型 ?磁控溅射 磁控溅射是70年代发展起来的一种高速溅射技术。 磁控溅射可以使淀积速率提高。气体电离从0.3-0.5%提高到5-6%。 三、溅射镀膜的类型 ?溅射特性－溅射率 5.靶材温度 靶材存在与升华相关的某一温度。低于此温度时， 溅射率几乎不变； 高于此温度时， 溅射率急剧增加。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射原子的能量和速度 溅射原子的能量（ 5 - 1 0 eV） 比热蒸发原子能量（0.1eV）大1-2个数量级。 溅射原子的能量与靶材、入射离子种类和能量、溅射原子的方向等有关。 几组实验数据曲线: 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性- 溅射原子的能量和速度 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射原子的角度分布 早期的热蒸发理论 溅射原子的角度分布符合Knudsen余弦定律，并且与入射离子的方向无关（局部高温蒸发）。 实际逸出原子分布并不遵从余弦定律。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射原子的角度分布 实际分布 在垂直于靶面方向明显少于余弦分布时应有的逸出原子数。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射原子的角度分布 与晶体结构方向的关系 逸出原子与原子排列密度有关。主要逸出方向为[110]，其次为[100]、[111]。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射原子的角度分布 与靶材结构（晶态和非晶态）的关系 单晶靶可观察到溅射原子明显的择优取向；多晶靶溅射原子近似余弦分布。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射率的表达式 通过离子与固体相互作用的物理过程，可以得到如下表达式： （1）离子能量小于1keV，在垂直入射时，溅射率为 式中， Tm为最大传递能量， V0靶材元素的势垒高度， a是与靶材原子质量和入射离子质量之比相关的常数。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射特性 溅射率的表达式 通过离子与固体相互作用的物理过程，可以得到如下表达式： （2）离子能量大于1keV，在垂直入射时，溅射率为 （3）一般情况下，溅射率的计算可由下式处理 式中， W为靶材的损失量， m原子量， I为离子电流， t为溅射时间。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射镀膜过程 靶材溅射过程 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射镀膜过程 溅射粒子的迁移过程 溅射粒子： ?? 正离子：不能到达基片 ?? 中性原子或分子 ?? 其余粒子 均能向基片迁移 中性粒子的平均自由程可以用下式表示： 式中， C1是溅射粒子的平均速度， V11是溅射粒子相互作用的平均碰撞次数， V12是溅射粒子与工作气体分子的平均碰撞次数。 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射镀膜过程 溅射粒子的迁移过程 一般情况下，溅射粒子密度远小于工作气体的分子密度，则: V11V12 所以 式中， n2和C2分别是工作气体分子的密度和平均速度；Q12是溅射粒子与工作气体分子的碰撞面积。 由于溅射粒子速度远大于气体分子的速度，有: r1,r2分别是溅射粒子和工作气体分子的原子半径 二、溅射镀膜的基本原理 ?溅射镀膜过程－溅射粒子的迁移过程 例题（p80） Ar+离子溅射铜靶，已知 求溅射离子的平均自由程？ 解： 代入公式: 溅射镀膜的气体压力一般为101-10-1Pa，其平均自由程为1-10cm，因此，靶和基片的距离与溅射粒子的平均自由程大致相当。 溅射粒子到达基片时的能量相当与蒸发原子的几十至上百倍。 二、溅射镀膜