g第五章 高频功率放大器.pptVIP

5.3.3 高频功率放大器的动态特性 1、动态特性和静态特性 1）晶体管的静态特性是在集电极电路内没有负载阻抗的条件下获得的。例如vC不变，iC－vB的关系曲线就是静态特性曲线－转移特性曲线。 2）动态特性：如果集电极电路有负载阻抗，则当改变vB使iC变化时，由于负载上有电压降，就必然引起vC的变化。即在考虑了负载的反作用后，所获得的vC、vB与iC的关系曲线就是动态特性曲线。最常用的是当vC、vB同时变化时， iC－vC关系的动态特性曲线。 2、当晶体管静态特性曲线理想化为折线而且放大器工作于负载回路谐振状态（即负载为纯电阻性）时，动态特性曲线也是一条直线。 证明：放大器负载谐振时外部电路关系为 整理可得： 将其代入内部关系式 iC + VBE _ 其中： 表示斜率（放大器相当于一个负电阻/一个交流电能发生器，输出电能至负载） 表示截距 vc ic Vo ? A ? B O VCC ? Q Vcm vcmin gd 在静态特征曲线的vc轴上取B点，使OB=V0，由B点作斜率为gd的直线BA，即得动态特征曲线。 3、动态特性曲线 动态特性曲线的画法： 取Q（ωt=900 ，vc=VCC，vb=－VBB ）、A（ωt=00 ，vc=VCC－Vcm，vb=－VBB ＋Vbm）两点，连成直线 vBmax=-VBB+Vbm 4.同理，可求出iC-vB平面内的动态特性曲线。在实际工作中，晶体管工作于放大区和截止区时，iC几乎不受集电极电压变化的影响，因而在iC-vB平面上的动态特性曲线几乎和静态特性曲线重合。因此在iC-vB平面上可以用静态特性来表示动态特性。 vc ic Vo ? A ? B O VCC ? Q Vcm vcmin gd vBmax=-VBB+Vbm 5、关于动态特性曲线的几点讨论 1）动态特性曲线是直线还是直线段？ 答：直线段 2）随着集电极电压的变化，集电极电流如何变？ 答：随着集电极电压的减小，集电极电流增大。 3）A点的横坐标和纵坐标分别对应着什么？ 答：横坐标对应着集电极电压的最小值，纵坐标对应着集电极电流的最大值。 4）Q点和A点横坐标的差代表什么？ 答：交流输出电压的振幅。 5）随着动态特性曲线斜率的变化，集电极电流的最大值和集电极电压的最小值以及交流输出电压的振幅将发生什么样的变化？ 答：|gd|↑动态特性曲线远离横轴，iCmax↑，vCmin↑，Vcm↓。 6、对应于不同负载阻抗值Rp的动态特性曲线 动态特性曲线的斜率和Rp 有关，Rp越大，Vcm越大，则 越小，故放大器的工作状态会随着Rp的变化而变化。 Rp和斜率、iCmax、Vcm、vcmin以及晶体管工作状态的关系。 1．定义 2．特性 5.3.4高频功率放大器的负载特性 　 指VBB、Vbm和 VCC一定，放大器性能随Rp的变化特性。 Rp 的增加势必将引起 Vcm 增大(Vcm = RpIcm) 　　Rp? ? Vcm ? ? vCEmin ? ? iCmax ? ? ICm1和 IC0 ? ?功放欠压 ? 过压 ? iC 波形出现凹陷。 Rp 欠压区 过压区 临界区 Icm1 Ico Vcm 据此可以画出 Ic0 和 Icm1 和Vcm随 Rp 变化的特性。 3． Po、P=、PC、?C 随 Rp 变化的曲线 Vcm = RpIcm1 ， Po = VcmIcm1/2 P＝ = VCCIC0 ， PC = P＝－Po ?C = Po/ P＝ Po Rp 欠压区 过压区 临界区 P= Pc Rp 欠压区 过压区 临界区 Icm1 Ico Vcm 4．讨论 　　(1) 欠压区 　　Rp ?，iC 脉冲高度略有减小，相应的 IC0、Ic1m 也略有减小，因而 Vcm(= RpIcm1)和 Po( )近似线性增大，而 P=(= VCCIC0略有减小，?C 增大，PC 减小。 　　(2)过压区 　　Rp ? ，电流脉冲高度迅速减小，凹陷加深，相应的 IC0、Ic1m 迅速减小，结果使 Vcm 略有增加，Po、P= 减小，且 Po 比 P=减小的慢，从而 ?C 略有增加，PC 略有减小。 Rp 欠压区 过压区 临界区 Icm1 Ico Vcm Po Rp 欠压区 过压区 临界区 P= Pc 5.结论： 1)、欠压时Icm1几乎不变，过压时Vcm几乎不变。因而可以把欠压状态的放大器当作一个恒流源，把过压状态的放大器当作一个恒压源。 2)、三种工作状态的优缺点： 临界状态优点：输出功率最大，效率较高，是最佳工作状态。主要用于发射机末级。 过压状态优点：Rp变化时，输出电压比较平稳，弱过压时，效率最高。但输出功率有所下降。常用于需要维持