9-4磁场对运动电荷的作用.pptVIP

* 2、洛仑兹力公式 安培定律 从微观看,电流为 ＋ Ｉ Ｉ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ 所以 电流元中带电粒子数 因此,每个运动电荷所受磁力为 即洛仑兹力公式为 f ⊥v 和B所组成的平面,即 f恒⊥v,故洛仑兹力对运动电荷不做功。 f f 在磁场方向和运动方向都相同时，正、负电荷受力方向不同 如果带电粒子在同时存在电场和磁场的空间运动时，则其所受合力为 上式称为洛仑兹关系式，它包含：电场力 与磁场力(洛仑兹力) 两部分. 9.4.2 带电粒子在匀强磁场中的运动 1、粒子速度 v0∥B 带电粒子以初速v平行于B进入磁场 此时带电粒子在磁场中仍然作匀速直线运动。 ﹢ 回旋半径和回旋频率 2、粒子速度 v⊥B （洛伦兹力不做功） 洛伦兹力 与 不垂直 螺距 3、粒子速度v与B斜交 磁聚焦 在均匀磁场中点 A 发射一束初速度相差不大的带电粒子，它们的 与 之间的夹角 不同，但都较小，这些粒子沿半径不同的螺旋线运动，因螺距近似相等，相交于屏上同一点，此现象称为磁聚焦 . 应用 电子光学，电子显微镜等 . 例9.5　测定离子荷质比的仪器称为质谱仪.倍恩勃立奇质谱仪原理如图9.34(a)所示.离子源所产生的带电量为q的离子，经狭缝S1和S2之间的加速电场加速，进入由P1，P2组成的速度选择器.在速度选择器中，电场强度为E，磁感应强度为B′.E，B′方向如图9.34(b).从S0射出的离子垂直射入一磁感应强度为B的均匀磁场中.离子进入这一磁场后因受洛仑兹力而作匀速圆周运动.不同质量的离子打在底片的不同位置上，形成按离子质量排列的线系.若底片上线系有三条，该元素有几种同位素？设d1，d2，d3是底片上1,2,3三个位置与速度选择器轴线间的距离，该元素的三种同位素的质量m1，m2，m3各为多少？ 解　如图9.34(b)所示，在速度选择器中，带电量为q的离子受电场力fe＝qE，同时受磁场力fm＝qvB′，两力方向相反.只有当离子的速度满足 图9.34 时离子才有可能穿过P1和P2两板间的狭缝，而从S0射出. 离子自S0进入匀强磁场B后，作匀速圆周运动.设半径为R，则 式中B，q，v是一定的，则质量m不同的离子对应不同的圆周运动半径R，故该元素有三种同位素. 又因为 ，代入上式得 将 分别代入，得 1、霍耳效应 实验证明：霍耳电势差 9.4.3 霍耳效应 　1897年，霍耳在实验中发现：当有电流I沿着垂直于B的方向通过导体时，在金属板上下两表面M，N之间就会出现横向电势差UH. －这就是霍耳效应。 ①?式中RH 称作霍耳系数 ② 式中d为导体块顺着磁场方向的厚度。 实验表明：△U与导体块的宽度a无关。 ２、霍耳系数的微观解释 设在导体内载流子的电量为q，平均定向运动速度为v，它在磁场中所受的洛仑兹力大小为 如果导体板的宽度为b，当导体上、下两表面间的电势差为UM－UN时，带电粒子所受的电场力大小为 由平衡条件有 则导体上、下两表面间的电势差为 设导体内载流子数密度为n，于是I＝nqvbd，以此代入上式可得 将上式与式(9.43)比较，得霍耳系数 ①?说明RH与载流子浓度n成反比： 在金属导体中，载流子浓度很高，故RH↓，UH↓ 在半导体中载流子浓度较低， RH↑，UH↑ 即在半导体中霍耳效应比金属中显著。 ＃载流子数浓度与单位体积内的原子数是两码事，不同金属有不同的自由电子数 ②?? 利用霍耳系数的正、负可判断半导体的类型。 若RH＞0 ，为P型半导体 若RH＜0 ，为n 型半导体。 ③?? 大多数金属的霍耳效应为负数，但有一些金属，如Zn,Cs (铯）,Pb,Fe等，它们的RH为正值，对这种现象只能用量子力学加以说明。 例9.6　有一宽为0.50 cm，厚为0.10 mm的薄片银导线，当片中通以2A电流，且有0.8T的磁场垂直薄片时，试求产生的霍耳电势差为多大？(银密度为10.5 g/cm3) 解　银原子是单价原子，每个原子给出一个自由电子，则单位体积中的自由电子数n将等于单位体积中的银原子数.已知银的原子量为108,1 mol银(0.108 kg)有N0＝6.0×1023个原子，银的密度为10.5×103 kg/m3，所以 由式(9.44)可求出霍耳电势差 由此可知，对于良导体，霍耳电势差是非常微小的. *9.4.4 磁流体发电 原理：处于高温、高速的等离子态流体通过耐高温材料制成的导电管时，如果在垂直于气流的方向上加上磁场，则气体中的正负离子，由