半导体二极管ppt.pptVIP

  1. 1、本文档共29页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体二极管ppt,二极管ppt,半导体二极管,半导体二极管资料word,半导体ppt,半导体物理ppt,半导体激光器ppt,半导体光电子学ppt,半导体器件ppt,半导体器件物理ppt

1.1.1 本征半导体 概 述 1.2.1 PN结的形成 PN结的单向导电性(即正向导通,反向截止) 一、正偏特性 二、反偏特性 结论: PN结具有单方向导电特性。 PN结——伏安特性曲线 三、 PN结(二极管)的击穿特性 稳压管 1.2.3 半导体二极管 半导体二极管图片 曲线模型—伏安特性曲线 1.3.2 晶体二极管电路分析方法 简化分析法 小信号分析法 * * 物质按其导电能力可分为导体、 绝缘体和半导体 3 种。 通常人们把容易导电的物质称为导体, 如金、银、铜等; 把在正常情况下很难导电的物质称为绝缘体, 如陶瓷、云母、塑料、 橡胶等; 把导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体, 如硅和锗。导体、半导体和绝缘体的划分, 严格地说是以物质的电阻率ρ的大小来确定的。 电阻率小于10-3Ω·cm的称为导体; 电阻率大于108Ω·cm的称为绝缘体; 其电阻率介于导体的和绝缘体的之间的物质称为半导体。 (1) 热敏性: 一些半导体对温度的反应很灵敏, 其电阻率随着温度的上升而明显地下降, 利用这种特性很容易制成各种热敏元件, 如热敏电阻、 温度传感器等。  (2) 光敏性: 有些半导体的电阻率随着光照的增强而明显地下降, 利用这种特性可以做成各种光敏元件, 如光敏电阻和光电管等。  (3) 掺杂性: 半导体的电阻率受掺入的“杂质”影响极大, 在半导体中即使掺入的杂质十分微量, 也能使其电阻率大大地下降, 利用这种独特的性质可以制成各种各样的晶体管器件。  半导体为什么会具有上述特性呢?要回答这个问题, 必须研究半导体的内部结构。  1.1 半导体物理基础知识 半导体:指导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 硅 、锗 原子结构及简化模型: 大多数半导体器件所用的主要材料是硅 (Si) 、锗 (Ge) 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体(比如硅和锗的单晶体)。它们是制造半导体器件的基本材料。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和锗共价键结构示意图: 共价键 共价键具有很强的结合力,当T=0K及无外界影响时,晶体中无自由移动的电子。 本征激发 当T升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 这种现象称 本征激发。 当原子中的价电子在光照或温度升高时获得能量挣脱共价键的束缚而成为自由电子,原子中留下空位(即空穴),(即产生自由电子-空穴对)同时原子因失去价电子而带正电。 本征激发 注意:空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 当邻近原子中的价电子释放能量不断填补这些空位时(自由电子与空穴的复合)形成一种运动,该运动可等效地看作是空穴的运动。空穴运动方向与价电子填补方向相反。即自由电子和空穴都能在晶格中自由移动。因而统称它们为半导体的载流子。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空穴 — 带正电 本征半导体中 本征激发——产生自由电子空穴对。 电子和空穴相遇释放能量——复合。 温度一定时: 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 T 导电能力 载流子 或光照 热敏特性 光敏特性 半导体除了上面提到的光敏性和热敏性外,还有一种重要的特性就是掺杂性,即在本征半导体中加入微量杂质元素后,半导体的导电性能会大大增强。加杂质后的半导体称为杂质半导体。根据加入杂质元素的不同可分为N型半导体和P型半导体。实际上制造晶体管的材料都是杂质半导体。 1.1.2 杂质半导体 N型半导体: 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 +4 +4 +5 +4 +4 简化模型: N型半导体 多子—自由电子 少子—空穴 自由电子 常温情况下,杂质元素全部电离为自由电子和正离子,正离子在晶格中不能移动,不参与导电。 (杂质电离(多数)和本征激发产生) (本征激发产生) 常温情况下,杂质元素全部电离为空穴和负离子,负离子在晶格中不能移动,不参与导电。 +4 +4 +3 +4 +4 P型半导体: 简化模型: P型半导体 少子——自由电子 多子——空穴 本征半导体中掺入少量三价元素构成。 杂质半导体呈电中性 少子浓度取决于温度。 多子浓度主要取决于掺杂浓度。 空穴 (杂质电离(多数)和本征激发产生) (本征激发产生) 1.1.3 两种导电机理——漂移和扩散 载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动,所形成的电流称漂移电流。 漂移与漂移电流 载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动,所形成的电流称扩散电流。 扩散与扩散电流 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的基本特性 1.2.3

您可能关注的文档

文档评论(0)

xiaolan118 + 关注
实名认证
文档贡献者

你好,我好,大家好!

版权声明书
用户编号:7140162041000002

1亿VIP精品文档

相关文档