半导体器件-器件基本构件3.pptVIP

金属－半导体接触——目的 1、掌握相关的基本概念：功函数、电子亲和势、表面势等。 2、画出金属-半导体接触能带图 3、知道制作欧姆接触的方法。 功函数 金属的功函数Wm 金属的功函数表示一个起始能量等于费米能级 的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm E0为真空中电子的能量，又称为真空能级。 半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体的功函数。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws Χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带 底的电子逸出体外所需要的最小能量。 En Ep n型半导体： Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Ep p型半导体： 设想有一块金属和一块非简并n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即： 2、接触电势差 接触前： E0 Ec (EF)s Ev χ Ws En Wm (EF)m － － － + + + E0 Ec (EF)s Ev χ Ws En Wm (EF)m En Ec Ev (EF)s eVD eΦns Wm χ 接触前： 接触后： 金属 n型半导体 E WmWs→形成表面势垒 接触电势差Φns=Wm-?? 势垒区电子浓度比体内小得多→高阻区(阻挡 层)。 界面处的势垒通常称为肖特基势垒。 En Ec Ev (EF)s eVD eΦns Wm χ 金属与n型半导体接触 若WmWs 金属与n型半导体接触时 En Ec Ev (EF)s eVD X-Wm 能带向下弯曲。这里电子浓度比体内大得多，因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层。 E0 金属与p型半导体接触时，若WmWs，能带向 上弯曲，形成P型反阻挡层。 金属与p型半导体接触时，若WmWs，形成空穴的表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离受主形成，空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成P型阻挡层。 作业3：画出以上两种情况的能带图，并标出有关的特征量。 n型 p型 WmWs 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 上述金半接触模型即为Schottky 模型： 3、金属半导体接触整流理论 阻挡层的整流作用 以n型半导体为例： 接触电势差VS0 势垒高度eVD=-eVs 外加一个正电压V0 则势垒高度降低为eVD=-e(Vs+V) 外加一个负电压V0 ，势垒高度增加 Ec (EF)s eΦns -e(Vs+V) eVD 4、欧姆接触 定义：不产生明显的附加阻抗，不会使半导体内部载流子浓度发生显著改变。 技术路线设计： 反阻挡层？ 隧道效应？ 半导体在重掺杂时，和金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。 在半导体上制作一层重搀杂区后再与金属接触。 Si 电子亲和势 4.05eV 金属功函数 PN结二极管——目的 从能带的角度定性的理解pn结二极管的工作原理。 画出pn结二极管热平衡、正反偏置的能带图。 理解实际二极管与理想二极管特性的区别。 正确的画出pn结二极管的电流-电压曲线。 明确肖特基二极管与pn结二极管的区别 ★PN结： PN结的形成（热平衡，理想情况） + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - 载流子的扩散运动 建立内电场 内电场对载流子的作用 扩散运动和 漂移运动达到 动态平衡， 交界面形成稳定的 空间电荷区，即 ＰＮ结 P区 N区 PN结分析导电特性的几个假设 （1）外加电压全部降落在耗尽区上，耗尽区以外的半导体是电中性的，可忽略中性区的体电阻和接触电阻； （2）均匀掺杂； （3）小注入(即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度)； （4）耗尽区内无复合和产生； （5）半导体非简并。 （6）P型区、N型区的宽度远大于少子扩散长度 pn结二极管 ++++++++++++++++ ------------------ p型 n型 P型 Ecp EFp Evp Ecn EFn Evn N型 EF Ecp Evp Ecn Evn eVD 热平衡的PN结能带图 施加正向电压能通过较大电流，正向导通；施加反向电压时，电流趋于饱和（很小），称PN结处于反向截至。 PN结具有单向导电性 门槛电压 死区 正向特性 反向特性 小电流 大注入 I V 0.7V 串联电阻 实际pn结二极管电流－电压 肖特基势垒二极管(SBD)和pn结二极管： 1）正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。 3）