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半导体物理总复习,初三物理总复习,初三物理总复习重点,中考物理总复习,高中物理总复习,初三物理中考总复习,初中物理总复习重点,2014中考物理总复习,2015年中考物理总复习,高一物理总复习
第二章 立方晶系基本的晶体结构 简单的立方晶格 体心立方晶格 面心立方晶格 金刚石晶格结构(硅、锗) 闪锌矿晶格结构(GaAs) 密勒指数:界定一晶体中不同平面的方法。由下列步骤确定: 找出平面在三坐标轴上的截距值r、s、t(以晶格常数为单位); 取这三个截距的倒数,并将其化简成最简单整数比, ; h、k、l为互质的整数,以(hkl)来表示单一平面的密勒指数。 非本征半导体:当半导体被掺入杂质时,半导体变成非本征的,而且引入杂质能级。 施主、受主、杂质能级、n型半导体、p型半导体、多子、少子概念,以及施主、受主的实例,载流子(电子、空穴)。 非简并半导体:电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度,即费米能级EF至少比EV高3kT,或比EC低3kT的半导体。 室温下,完全电离,非本征半导体中多子浓度为杂质浓度。 施主浓度越高,费米能级往导带底部靠近。受主浓度越高,费米能级往价带顶端靠近近。 第四章 第五章 双极型器件:电子与空穴皆参与导通,由两个相邻的互作用的p-n结组成,其结构可为p-n-p或n-p-n。 发射区的掺杂浓度远比集电区大;基区的浓度比发射区低,但高于集电区浓度。 当基区宽度足够小时,由发射区注入基区的空穴便能够扩散通过基区而到达集基结的耗尽区边缘,并在集基偏压的作用下通过集电区。 由邻近的射基结注射过来的空穴可在反偏集基结造成大电流,此为晶体管放大作用,且只有当此两p-n结足够接近时才会发生,因此此两结被称为交互p-n结。 注意 各种结构的能带图 书中所提到的物理参数的符号要能看得懂 作业 使用时,直接删除本页! 精品课件,你值得拥有! 精品课件,你值得拥有! 使用时,直接删除本页! 精品课件,你值得拥有! 精品课件,你值得拥有! * * 此处的数学推导都是在费米分布函数近似的条件下进行求解的。 由前面迁移率的公式可知,迁移率直接与碰撞时的平均自由时间相关;而平均自由时间则取决于各种散射的机制。 下图为砷化镓的动量-能量关系曲线,其价带顶与导带底发生在相同动量处(p=0)。因此,电子从价带转换到导带时,不需要动量转换。 直接带隙半导体: 能量/eV 对Si、Ge而言,其动量-能量曲线中价带顶在p=0,导带最低处则在p=pC。因此,电子从价带顶转换到导带最低处时,不仅需要能量转换(≥Eg),也需要动量转换(≥pC)。 间接带隙半导体: 能量/eV 0 pc 用能带理论解释金属、半导体及绝缘体的电导率之间的巨大差异:电子在最高能带或最高两能带的占有率决定此固体的导电性。 价带 导带 填满的价带 空导带 部分填满的导带 Eg Eg≈9eV 金属 价带 导带 半导体 绝缘体 本征半导体:半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴。 热平衡状态:在恒温下的稳定状态,且并无任何外来干扰(如照光、压力或电场)。连续的热扰动造成电子从价带激发到导带,同时在价带留下等量的空穴。此状态下,载流子(导带电子和价带空穴)浓度不变。 统计力学,费米分布函数表示为 费米能级EF是电子占有率为1/2时的能量。 F(E)在费米能量EF附近呈对称分布。 对于能量为E的能态被电子占据的概率,可近似为: 对于能量为E的能态被空穴占据的概率 导带的电子浓度为 其中,NC是导带中的有效态密度。 同理,价带中的空穴浓度为 其中,NV是价带中的有效态密度。 本征载流子浓度ni:本征半导体,导带中每单位体积的电子数与价带中每单位体积的空穴数相同,即n=p=ni,ni称为本征载流子浓度, 本征费米能级Ei:本征半导体的费米能级EF。 室温下,本征半导体的费米能级Ei相当靠近禁带的中央。 热平衡情况下,无论对于本征还是非本征半导体,该式都成立,称为质量作用定律。 只要满足近似条件(EC-EF3kT或EF-EV3kT),下式即可成立 只要满足近似条件,np的乘积为本征载流子浓度(和材料性质有关,与掺杂无关)的平方。 热平衡状态半导体的基本公式。 若施主与受主同时存在,则由较高浓度的杂质决定半导体传导类型。 费米能级调整以保持电中性,即总负电荷(包括导带电子和受主离子)必须等于总正电荷(包括价带空穴和施主离子)。 一般净杂质浓度|ND-NA|比本征载流子浓度ni大,因此 下图显示施主浓度ND为1015cm-3时,硅的电子浓度对温度的函数关系图。 低温,晶体中热能不足以电离所有施主杂质。有些电子被冻结在施主能级,因此电子浓度小于施主浓度。 温度上升,完全电离的情形即可达到(即nn=ND)。 温度继续上升,电子浓度基本上在一段长的温度范围内维持定值,此为非本征区。 温度进一步上升,达到某一值,此时本征载流子浓度可与施主浓度相比,超过此温度后,半导体便为本征的。 半导体变成本征时的温度由杂质浓度及禁带
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