半导体物理第十章.pptVIP

光电子器件：光子担任主要角色的电子器件 pn结注入式场致发光原理 半导体发光包括激发过程和复合过程。这两个过程衔接，是发光必不可少的两个环节。 在pn结上施加正偏压，产生注入效应，使结区及其左右两边各一个少子扩散长度范围内的少子浓度超过其热平衡少子浓度。超过部分就是由电能激发产生的处于不稳定高能态的非平衡载流子，它们必须通过第二过程：复合，达到恒定正向注入下的新稳态。 复合分为辐射复合和非辐射复合。辐射复合过程中，自由电子和空穴具有的能量将变成光而自然放出。非辐射复合过程中，释放的能量将转变为其它形式的能，如热能。因此，为提高发光效率应尽量避免非辐射复合。 辐射复合的几条途径是：带-带复合、浅施主-价带或导带-浅受主间复合、施-受主之间复合、通过深能级复合、激子复合等。 激子复合：如果半导体吸收能量小于禁带宽度的光子，电子被从价带激发。但由于库仑作用，它仍然和价带中留下的空穴联系起来，形成束缚状态。这种被库仑能束缚在一起的电子-空穴对称为激子。激子作为一个整体，可以在晶体中自由运动。由于在整体上它是电中性的，因此激子的运动不会引起电流。激子是一个能量系统，这种束缚态可以把能量以辐射的方式或非辐射方式重新释放出来。 (1)发光二极管（LED） 发光二极管称作LED（Light Emitting Diode）。LED低电压、低功耗下发光，远比白炽灯寿命长，响应速度也快。如下图所示，使用LED的各种指示灯、七段数字显示器和文字阵列、图形显示器等被广泛应用在家电产品、玩具直到产业设备等各个领域。 LED的结构及工作原理 低辉度发光的同质结结构 由于紧靠pn结附近发出的光从单晶出来到外部之前被吸收掉的比例高，所以发光效率低。 当阳极加正电压、阴极加负电压时，发光二极管正向偏置，则n区自由电子通过pn结向p区移动，p区空穴通过pn结向n区移动。此时，自由电子和空穴的一部分因复合而消失。 光的波长根据pn结处禁带宽度来确定，禁带宽度越大波长越短。即发光的波长即“色”取决于材料。 高辉度发光的异质结结构 异质结结构是一种将禁带宽度窄的活性层用禁带宽的包覆层从两侧夹住的结构。一侧包覆层是p型材料，另一侧包覆层为n型材料，活性层可以为p型或n型任何一种。 LED的分类 LED主要分为可见光和近红外光两类。 下图为一些有代表性的发光二极管的相对发光光谱响应。图中虚线表示人眼对可见光的相对灵敏度，其最大灵敏度在?＝0.55?m的绿光。 可见光发光二极管 常用的材料是掺杂的间接跃迁材料GaP以及GaP与GaAs的混晶材料GaAs1-xPx。 GaP是一种间接带隙半导体，虽然带－带辐射跃迁效率比直接带隙材料GaAs的低得多，但是通过掺杂，发光效率比其它间接带隙的高。 GaAs1-xPx是由直接带隙型GaAs和间接带隙型GaP组成的混晶。 当混晶比x0.45时，混晶属直接跃迁，发红光。 当混晶比x0.45时，混晶属间接跃迁，性质接近GaP。随着x的增大，发光波长缩短，从橙色光变成绿光。 为了消除发射光子的临界损失并降低光发散度，可以改进LED管芯几何形状的设计，图（a）的矩形截面可以改成下图所示的三种截面形状：半球形、截球形和抛物体形。 GaN—第三代半导体的曙光 第一代材料：Si、Ge 第二代材料：GaAs、InP、GaP 第三代材料：SiC、ZnSe、GaN 21世纪绿色照明－白光LED 半导体晶体管以及集成电路的发明和发展使计算机成为人类社会不可或缺的东西，这数得上是２０世纪最重要的技术革命。那么，半导体引起的下一个技术革命将是什么呢？ 那就是半导体灯。半导体照明灯将逐步取代电真空灯泡和日光灯管， 成为又一个影响人类社会物质文明的电子革命的产物。 半导体灯小巧、可靠、寿命长、低压、省电、节能等占尽了优点。普通灯泡只能用1000小时， GaN白光LED灯可用10万小时，可以说人的一生从建房开始装上就不用再更换了，而且半导体灯消耗的电能只是白炽灯的10％～25％。 目前利用LED实现白光主要有两种方法，一是利用蓝光LED芯片和荧光粉制备的白光LED产品；另一种是利用红色、绿色、蓝色LED制备LED白光组件。国际上比较活跃的是第一种方法。 日本和美国有多家公司推出了白光LED产品，目前日本日亚公司的水平最高。 白光LED的基本原理 白光LED主要利用蓝光LED为基础光源，将蓝色LED发光的一部分蓝光用来激发荧光粉，使荧光粉发出黄绿光或红光和绿光，另一部分蓝光透射出来，由荧光粉和黄绿光或红光和绿光与透射的蓝光组成白光。 由发光峰值在430nm或470nm的蓝光LED与黄绿色（580nm）荧光粉组成白光称其为二基色白光LED。由发光峰值在430nm或470nm的蓝光LED与红色（650nm）和绿光（540nm）组成的白光其为三基色白光LED