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推动发展不光靠挤 CPU材料学平民解读 1947年贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，1958年仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比同时发明集成电路，再到1971年Intel推出全球第一颗微处理器。今天基于集成电路的各种设备已经深深的改变了我们的生活方式，并且革新了我们所生活的社会。不管是手机还是日益普及的其它数码产品都是基于集成电路，而在基于集成电路的各种设备中，中央处理器无疑是集成电路高科技应用的标志性产品。 　　从1958年集成电路诞生至今的60余年的发展历程中，集成电路的制造工艺除了1960年H H Loor和E Castellani发明的光刻工艺以及之后对光刻工艺的不断改进之外，还有与之紧密相伴的新材料学。  　　近十年来不管是AMD还是Intel，每发布一颗CPU就会顺带标注该芯片所用的制程技术，最初只标榜晶体管的密度、数量的制程，从P4时代开始，不管是CPU的包装盒，还是各个网站的产品库都会标注CPU的XX纳米的制做工艺。 　　现如今，处理器的纳米工艺技术已经更进一步的深入人心，消费者对处理器工艺的理解也不仅仅是一门技术，而更像是一类指标，一类选购时所参考的指导。在众多用户看来，处理器的工艺就代表着产品的现金性工艺，与功耗性能有着密切的联系。那么追根到底，什么才是CPU的制作工艺呢？这些工艺又和材料学有着什么样的关系？ 到底什么才是工艺？ 　　所谓CPU采用多少纳米的工艺，不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指在晶圆上蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指集成电路工艺在晶圆上生产出来的电路中最小线条宽度，即线宽。 线宽是集成电路工艺先进水平的主要指标。在MOS电路中，人们也常栅极长度来定义线宽。我们常说的CPU工艺是指最小线条宽度。 工艺进步的标志 　　为什么线宽是集成电路工艺先进水平标准呢？因为线宽越小, 晶体管也越小，由于晶管体积变小，晶体管工作需要的电压和电流就越低，晶体管开关的速度也就越快，这样先进工艺的晶体管就可以工作在更高的频率下，随之而来的就是芯片功耗的降低，稳定性和性能则会提升。同时线宽越小，集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。相同面积的晶圆上就能生产出更多数量的CPU，从而降低生产成本。 加工精度是集成电路发展的主要指标 　　自1947年晶体管发明迄今，催生了功能更强，成本更低，耗电量更小的产品。虽然科技发展迅速，但基于晶体管集成电路发展也面临着种种难题。 晶体管之父「William Shockley」 　　我们知道晶体管制造工艺的线宽大小主要是光刻技术决定的，但随着更先进的光刻技术将线宽的减小并提升晶体管的集成度的提升，漏电以及RC延时这两个主要问题制约集成电路工艺的发展。当然也还有其它的一些因素，比如线路串扰，造成逻辑电路的误动作。一方面要克服这些不利因素，另一方面还要通过工艺之外的方法来提升晶体管的速度，这就得通过寻求新材料以获得更好解决方案。 首先我们要知道CPU内部的集成电路除了，金属导线，半导体材料之外，还有分布于他们周围的至关重要的“电介质”，“电介质”同时影响着晶体管本身诸如漏电、开关速度之类的电学特性也影响着集成电路整体的其它各种物理性能和逻辑运算能力，对CPU的发展起着决定性的作用。下面先我们就要来了解电介质的概念。 ●　什么是电介质？ IBM CPU的截面图，绿色的部分即为电介质 　　材料从导电特性上可分为可分为超导体、导体、半导体、绝缘体等，导电性能良好的材料称为电的良导体或直接称为导体，不导电的材料称为电的不良导体或者称作绝缘体。导体中含有许多可以自由移动的电荷，而绝缘体中电荷被紧密的束缚在自身所属的原子核周围，这些电子由于被原子束缚的较紧所以不能自由流动。 极化的电介质 　　绝缘体不能导电，但在电场中会受的电场的作用而极化，同时极化后产生的电场也会影响原来的电场，这种特性在电学中起着重要的作用。因此从电场的角度来看，绝缘体也被称为电介质(dielectric)。（也就是说在晶体管里电介质性质上就是我们大家熟知的绝缘体，OK，没有那么神秘，别被专业名词吓跑~~） ●　什么是High－k/Low-K 　　电介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即介电常数 (permittivity),又称诱电率，用kappa或K表示。其中作为储电材料的电介质的k 值对电容容量的大小起着关键性作用，Ｋ值越大，则电介质所处的电路的电容越大，Ｋ值越小，则电路的电容越小。 　　不同电介质的介电常数k 相差很大，真空的k 值为1，在所有材料中最低；工程上根据k值的不同，把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k ＞3.9 时，判定为high-k；而k≤3