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电池英才网（） 光伏组件输出功率光致衰减问题的讨论 报告内容提要 引言 （一）P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 掺硼) （二）P型(掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 （三）光伏组件的初始光致衰减试验 （四）光伏组件输出功率初始衰减问题的解决方案 2 引言 光伏组件输出功率的衰减可分为两个阶段： 光伏组件输出功率的衰减可分为两个阶段： 第一个阶段，我们可以把它称作初始的光致衰减， 第一个阶段 即光伏组件的输出功率在刚开始使用的最初几天 内发生较大幅度的下降，但随后趋于稳定。导致 这一现象发生的主要原因是P型（掺硼）晶体硅片 中的硼氧复合体降低了少子寿命。 第二个阶段，我们可以把它称作组件的老化衰减， 第二个阶段 即在长期使用中出现的极缓慢的功率下降，产生 的主要原因与电池缓慢衰减有关，也与封装材料 的性能退化有关。 3 引言 为什么光致衰减现象又被关注： P型(掺硼)的太阳电池的光致衰减现象是在七十年 代发现的，为什么近期光伏产业界和研究机构又 对此产生了较大的关注呢？其主要原因是由于光 致衰减导致的一些光伏组件的功率下降幅度远 远超出了客户所能接受的范围，这就使组件制造 商面临着潜在的赔偿风险。 4 引言 导致光伏组件功率出现早期下降的主要原因有： （一）硅片质量差，导致电池出现较大幅度的初始光致 5 衰减； （二）组件制造工艺不合理，出现诸如电池片隐裂、 EVA交联度不好、脱层、焊接不良等质量问题． （三）些组件制造商功率测试不准确或有意在输出功 率上虚报。 一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 30多年前，H. Fischer and W. Pschunder 等人首次观察到P型（掺硼）晶 体硅太阳电池的初始光致衰减现象． 6 一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 大家基本一致的看法是： 大家基本一致的看法是： 光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命降 低，引起电池转换效率下降，但经过退火处理，少子寿命又可被恢复，其 可能的反应为： 7 光照或电流注入 Bs＋ Bs＋2Oi 少子寿命高） （少子寿命高） 退火处理 BsO2i 少子寿命低） （少子寿命低） 一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 8 据文献中报道： 据文献中报道 （一）含有硼和氧的硅片经过光照后出现不同程度的 衰减（如图2、图3、图4所示）。硅片中的硼、氧 含量越大，在光照或电流注入条件下产生的硼氧 复合体越多，少子寿命降低的幅度就越大。 (二）在低氧、掺镓、掺磷的硅片中少子寿命随光照 时间的衰减幅度极小。 一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 9 图2 低氧掺硼、有氧掺磷、有氧掺硼的Fz硅片 和有氧掺硼Cz硅片少子寿命衰减随光照时间的关系(2) 一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 10 图3 掺硼、掺镓、掺磷的Cz硅片和硼掺杂的MCZ硅光照前后少数载流子寿命的变化(3) 一. P型(掺硼)晶体硅太阳电池初始光致衰减机理 11 图4 不同硼掺杂浓度硅片的少子寿命随时间的变化关系(4) 掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 二. P型(掺硼)晶体硅片少子寿命及太阳电池光致衰减试验 (一）P型（掺硼）单/多晶硅片少子寿命的光致衰减试验 １．原始硅片的光致衰减试验 硅片不做任何处理，测试光照前和光照后的少子寿命。 12 试验结论： 从图5可以看出，单/多晶 裸硅片若不经过清洗钝化， 其少子寿命几乎随着光照 时间变化不大，这是因为 硅片表面复合中心占主导 地位，掩盖了光照对体少 子寿命的影响，因此对不 经过清洗、钝化的裸硅片， 无法确定少子寿命与光照 时间的对应关系，也就无 法判断硅片的质量． 单晶裸硅片的少子寿命随时间的衰减图 1.2 多晶裸硅片的少子寿命随时间的衰减图 1.2 1.0 1.0 0.8 0.8 少子寿命 us 少子寿命 us 0.6 0.6 M1 0.4 M2 M3 0.4 M1 M2 M3 0.2 0.2 0.0 0.0 0 10 min 30 min 1h 时间 H