改进型细胞神经网络实现的忆阻器混沌电路_李志军.pdfVIP

物理 学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 1 (2014) 010502 改进型细胞神经网络实现的忆阻器混沌电路 李志军 曾以成 李志斌 1)(湘潭大学信息工程学院, 湘潭 411105) 2) (湘潭大学光电工程系, 湘潭 411105) 3)(湘潭大学能源工程学院, 湘潭 411105) ( 2013 年7 月7 日收到; 2013 年10 月5 日收到修改稿) 在通用细胞神经网络单元的基础上, 本文利用忆阻器本身的非线性实现了一种改进型细胞神经网络单 元. 通过连接4 个改进的细胞神经网络单元导出了一种基于状态控制细胞神经网络的忆阻器混沌电路. 为了 验证该方法的正确性, 采用通用的电子器件构建了一个忆阻器的模拟等效电路, 并对提出的电路进行了实验 分析. 实验结果与数值仿真结果的一致性表明采用改进型的细胞神经网络可以有效地实现忆阻器混沌电路. 关键词: 忆阻器, 分段线性, 状态控制细胞神经网络, 混沌 PACS: 05.45.–a DOI: 10.7498/aps.63.010502 (piecewise-linear, PWL)模型79 , 如在文献[7] 中, 1 引 言 Muthuswamy 采用PWL 模型的忆阻器实现了标准 及类蔡氏混沌电路, 在一定的参数条件下这些电路 2008 年5 月Hewlett-Packard(HP) 实验室研究 能够展现出丰富的动力学行为; 2) 光滑模型1014 , 1 小组采用纳米技术实现了具有记忆特性的电阻 , 包伯成等利用光滑模型的磁控忆阻器实现了一系 2 从而证实了Chua 于1971 提出的忆阻器概念 和 列新的蔡氏混沌电路1012 . 同样, Muthuswamy 3 1976 年提出的忆阻系统的相关理论 . 作为与R, 等采用光滑三次非线性磁控忆阻器取代蔡氏二极 L, C 并列的第四个基本无源器件, 忆阻器建立了磁 管实现了一种变形蔡氏混沌电路1314 . 通和电荷之间的关系, 其阻值与电压幅度、极性和 由于现有的忆阻器混沌电路都是直接以忆阻 流过的电流有关. 由于忆阻器具有记忆功能, 其潜 器替换原蔡氏电路中的非线性器件来实现的, 只 在的应用价值引起了国内外学者的广泛关注. 利用 是采用的忆阻器的模型不同而已, 因而实现方法单 其数字工作方式, 忆阻器可以实现非易失性阻抗存 储器(RRAM) 和现场可编程门阵列(FPGA) 4 ; 利 一. 且采用简单的替换法实现的忆阻器混沌电路 用其模拟工作方式, 忆阻器可以实现人工神经网络 均包含电感, 致使电路鲁棒性较差, 在实际工程应 5