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2015-09-15 发布于重庆
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E黔兼容计与实现 PadESDProtectionin DriverIC ofGATE／SOURCE TFT_LCD DesignImplement 唐建东(深圳职业技术学院，广东深圳518055) Microelectronic TangJian-dong(ShenzhenPolytechnic technologyEngineering，Guangdong Shenzhen518055) 摘要：文章描述了TFr_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局，熏点分析和设计了Ⅺt。LCD 驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路oESD保护电路布局一匕采用两辨ESD魄路错开晕：” 晶字形”排列+，使ESD电流均匀流通。禚GATE保护电路中，采用二极管接法代替邋用PMOS,。防曛电 Ordae)，使路产蟹Latch-u．p效威。SOURCE的保护魄路中，NMOS的Drain设计了RPO(、ResistProtection 流经Drain豹电流均匀分散，使二次击穿魄压升满。、黉键谪：TFT_LCD驱动芯片；ESD保护；击穿藏脆n u：中蓬分类哮：讯303 文献标浃磷澎B_ 。交章编号：1003-0107(2009)06,,,0‘074-,03 describesthe of IC8ESD 蛐i啭巍Ti…nspaper JayoutTFT_LCD。drivefprotection÷ItmmntyanaiyAs-anddesignsESD戳* tectionforGATE一＆SOURCE aJmngementintwomP,eESDoir- pininTFT_LCDd?rIi谢IC．ItIsadoptedthattriangle-shaped diode CU}tIsaooptedt÷“o maketheelectdccurt卺nt theGATEprotectedcircuit．voltagerep憎啤PMO麓S． p鞲$$eq■碡b悖In avoidprodu∞L‘atch-upphenomena．Inthe：SOURCEprotectedcircuitiDrainofNMOSa战：c)tedRPOdes劬∥瓣mareth÷je clFrent船ough渤珈sepmated姻“8bly．ThesecondbreakdownvoltageofNMOS糟raised，